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6.1 半导体存储器 6.2 随机存储器RAM 6.3 只读存储器 6.4 存储器与系统的连接 6.1 半导体存储器 6.1.1 半导体存储器的分类 1．RAM 特点： RAM的读写次数无限。 如果断开RAM的电源，其内容将全部丢失。 分类 ： 静态RAM（SRAM，Static RAM） 动态RAM（DRAM，Dynamic RAM） 2. ROM 掩膜ROM：掩膜ROM简称ROM，是由芯片制造的最后一道掩模工艺来控制写入信息。 PROM（Programmable ROM）：可由用户一次性写入的ROM，如型熔丝PROM 。 EPROM（Erasable Programmable ROM）：可擦除的可编程只读存储器。如紫外线擦除型的可编程只读存储器。 E2PROM(Electrically Erasable Programmable ROM)：也称为EEPROM，是可以电擦除的可编程只读存储器。 闪速存储器（Flash Memory）：闪速存储器是新型非易失性存储器，在系统电可重写。 6.1.2 半导体存储器的主要技术指标 6.2 随机存储器RAM 6.2.1 基本结构 3.单管DRAM基本存储电路 信息存放在电容Cs中，Ts是选通开关。当Cs中充有电荷时表示信息“1”，当Cs中没有电荷时表示信息“0”。 6.2.2 典型SRAM芯片 1. IDT6116 2K×8bit的CMOS工艺的静态RAM. (1)最大存取时间：早期的6116速度较低，近几年的产品性能有所提高。例如IDT6116SA15/20/25/35/45的读、写时间分别为15、20、25、35、45ns。 (2)功耗： 操作时ICC为80-150mA 全待用模式（Full standby power mode）时ICC为2mA 与其同一系列的还有: 6264容量为8K×8bit 62128容量为16K×8bit 62512容量为64K×8bit 621400容量为4M×1bit 628511容量为512k×8bit 6216255容量为256K×16bit 它们的控制信号基本相同。 6.2.3 典型DRAM芯片 1. 2164 (64K×1bit) INTEL公司的早期产品，IBM 公司的PC机使用该芯片作为其内存。 主要特征： 存取时间150-200ns 操作时的功耗275mW，备用时7.5mW 5V单一电源 每次同时刷新512个存储单元（512×1bit）,刷新128次可将全部单元刷新一遍。 刷新周期2ms 读/写操作： 先由 信号将地址线输入的8位行地址（例如A0-A7）锁存到内部行地址寄存器，再由 信号将地址线输入的8位列地址（例如A8-A15）锁存到内部列地址寄存器，选中一个存储单元，由 决定读或写操作。 由于动态存储器读出时须预充电，因此每次读／写操作均可进行一次刷新，刷新四个矩阵中的128×4 bit=512 bit 。 刷新操作： 当芯片的 为低，行地址由A0-A6送入，这时动态存储器对四个矩阵中的128×4 bit同时刷新。 例：IBM PC计算机中，定时器8253通道1每15μs向DMA控制器通道3发出请求，由该控制器送出刷新地址，进行一次刷新操作。完成全部的刷新操作的时间为128×15μs。 2．414256 （512×512×4 ） 6.3 只读存储器 典型芯片: NMOS工艺：2716、2732等 HMOS工艺：2764、27128、27256、27512等 CMOS工艺：27C128、27C256、27C512等 6.3.1 EPROM 2764的工作模式 6.3.2 E2PROM 1.典型E2PROM芯片AT28C64 28C64的读操作： 数据轮询(DATA POLLING): 28C64利用数据轮询特性来监视器件在写周期中的工作状态。在写入周期中，可以通过对I/O7信号不断读出、比较操作以判断写入数据是否结束（写入周期中，读出的I/O7数据总是与写入I/O7的数据相反）。只有当写入周期完成，其输出的数据才是真正写入的数据。 全片清除(CHIP CLEAR): 将存储器内的全部存储单元中的每一位置为“1”就是全片清除操作。方法是使 为低、 为12V，在 端加上10ms低脉冲。 6.3.3 Flash Memory 典型闪速存储器芯片TMS29F040： 512K*8bit； 8个独立区段，每区段