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第三章 晶体结构缺陷 P77 1、点缺陷 又称为零维缺陷，在三维方向上缺陷的尺寸处在原子大小的数量级上，包括空位，间隙原子和杂质原子等。 线缺陷 又称为一维缺陷，在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规律性排列所产生的缺陷，如位错（dislocation）。 面缺陷 又称为二维缺陷，在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规律性排列所产生的缺陷，如晶界（dislocation）。 体缺陷 又称为三维缺陷，在局部的三维方向上偏离理想晶体中的周期性、规律性排列所产生的缺陷，如空位团。 弗仑克尔缺陷：能量足够大的质点离开正常格位后挤入晶格间隙为位置，形成间隙质点，原来位置形成空位。空位和间隙成对产生；晶体体积不变。 肖特基缺陷：正常格点上的质点获得能量后离开平衡位置迁移到表面位置，同时在晶体内部正常格点上留下空位。对于离子晶体，为保持电中性，正离子空位和负离子空位成对产生，晶体体积增大。 ：含有外来杂质原子的晶体称为固体溶液，其中外来组元为溶质，基质晶体为溶剂固溶体中由于杂质原子占据正常格点的位置，破坏了基质晶体中质点排列的有序性，引起晶体内周期性势场的畸变，这也是一种点缺陷范围的晶体结构缺陷。 固溶体?机械混合物?化合物的区别 影响固溶体溶解度的因素？：具体结合P91—93 1 原子或离子尺寸 2 晶体的结构类型 3 离子类型和键性 4 电价因素 5 电负性 【算】 P98 上课讲了P113 11、25题（详见硅酸盐物理化学答案） 【名】非化学计量化合物 【选】P98 非化学计量（2）间隙正离子型 完全不完全（3）正离子空位型 [h?]∝PO21/6 （4）间隙负离子型 [Oi’’]∝PO21/6 第四章 非晶态结构与性质P115 P124 O/Si比：硅酸盐熔体的粘度首先取决于硅氧四面体网络的聚合程度，即随O/Si比的上升而下降，见表4—4。 2、P124 （先从P120开始了解黏度）通常碱金属氧化物（Li2O、Na2O、K2O、Rb2O、Cs2O）能降低熔体粘度 图5 。这些正离子由于电荷少、半径大、和O2－的作用力较小，提供了系统中的“自由氧”而使O/Si比值增加，导致原来硅氧负离子团解聚成较简单的结构单位，因而使活化能减低、粘度变小。 【答】 1 当Ｒ2O含量较低时（O/Si较低），熔体中硅氧负离子团较大，对粘度起主要作用的是四面体[SiO4]间的键力。这时，加入的正离子的半径越小，降低粘度的作用越大，其次序是Li＋ Na＋ Ｋ＋ Rb＋ Cs＋。这是由于R＋除了能提供“游离”氧，打断硅氧网络以外，在网络中还对→Si－O－Si←键有反极化作用，减弱了上述键力。Li＋离子半径最小，电场强度最强，反极化作用最大，故它降低粘度的作用最大。 2 当熔体中Ｒ2O含量较高（O/Si比较高）时，则熔体中硅氧负离子团接近最简单的[SiO4]形式，同时熔体中有大量Ｏ2-存在，[SiO4]四面体之间主要依靠R－O键力连接，这时作用力矩最大的Li+就具有较大的粘度。在这种情况下，Ｒ2O对粘度影响的次序是Li+ Na+ Ｋ+ 。 P130玻璃的通性：各向同性、介稳性 、无固定熔点、理化性质随温度的变化连续 P135玻璃形成的动力学条件（也许会考）泰曼 尤曼 【名】P138网络形成体、网络改变体、网络中间体（PPT上没有自己写。。） 【答】两大学说比较：（P143—P144太具体的。。） （P141学说要点 晶子学说： 优点：第一次揭示了玻璃的微不均匀性，描述了玻璃 结构近程有序的特点。 不足：晶子尺寸太小，无法用x－射线检测，晶子的含量、组成也无法得知 （P142学说要点无规则网络学说： 优点：说明玻璃结构宏观上是均匀的。解释了结构上是远程无序的， 揭示了玻璃各向同性等性质。 不足：对分相研究不利，不能完满解释玻璃的微观不均匀性和分相现象。 【算】P145—146硅酸盐结构参数（理解好） 固体表面与界面 P153 1、【名】表面：表面是指固体与真空的界面 界面：相邻两个结晶空间的交界面称为“界面” 相界面：相邻相之间的交界面称为相界面，包括固固界面 S/S 、固气界面 S/V 和固液界面 S/L 。 晶界： 电动电位或ζ电位：吸附层与扩散层之间的电位差；粘土质点表面与扩散层之间的电位差则为热力学电位差ψ。P198 【答】P159—160NaCl表面双电层 1 离子晶体MX在表面力作用下，处于表面层的负离子X在外侧不饱和，负离子极化率大，通过电子云拉向内侧正离子一方的极化变形来降低表面能。这一过程称为松弛，它是瞬间完成的，接着发生离子重排。 2 从晶格点阵稳定性考虑作用力较大，极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置而易极化的负离子受诱导极化偶极子排斥而推向外侧，从而形成表面双电层。重排结果使晶体表面能量趋于