第5章场效应管放大电路new-p沟道.ppt

六、MOS管的有关问题 5.1.2 绝缘栅场效应管: 3、使用注意事项 （1）结型场效应管的栅源电压不能接反，但可在开路状态下保存； （2）MOS管在不使用时，须将各个电极短接； （3）焊接时，电烙铁必须有外接地线，最好是断电后再焊接； （4）结型场效应管可用万用表定性检测管子的质量，而MOS管必须用专门的仪器来检测； （5）若用四引线的场效应管，其衬底引线应正确连接； § 5.2 场效应管放大电路 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法： 场效应管是电压控制器件。它利用栅源电压来控制漏极电流的变化。它的放大作用以跨导来体现，在场效应管的漏极特性的水平部分，漏极电流iD的值主要取决于vGS，而几乎与vDS无关。 1、 固定偏置电路 5.2.1 场效应管的直流偏置电路 +ED Rd Rg Eg T uo ui T：控制器件（N沟道耗尽型MOS管） ED、Eg：直流电源 C1、C2：隔直流通交流 Rd：将变化的电流转化为变化的电压 为保证T工作是恒流区，必须满足：UGS始终为负；UDS始终为正，且UDG>－UP 2、自偏压电路 3、分压式自偏压电路 vGS vGS vGS vGS vGS 5.2.1 场效应管的直流偏置电路 Rg：使g与地的直流电位几乎相同（因上无电流）。 R：当IS流过R时产生直流压降ISR，使S对地有一定的电压：UGS=－ISR=－IDR<0 Q点： VGS 、 ID 、 VDS vGS = VDS = 已知VP ，由 VDD - ID (Rd + R ) - iDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 5.2.2 静态工作点 以自偏压电路为例 1、近似估算法 5.2.2 静态工作点 以自偏压电路为例 2、图解分析法 UGS=0v UDS iD 3v 1.5v -3v -1.5v 由输出回路：ED=UDS+ID(RD+RS)作出直流负载线 +ED Rd Rg RS T uo ui 在转移特性上作源极负载线点所对应的UDS、UGS、ID； UGS iD -3 1.5 0 1.5 3 ED 由输出特性：ID=f(UDS)|UGS 由输入回路：UGS=UG－US=－IDRS 作负载转移特性 UDS UGS ID * 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: §5.1 场效应晶体管 N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 N沟道 P沟道 一、结构及符号 5.1.1 结型场效应管: 源极（S） 栅极（G） P区 漏极D N N D G S N沟道 G S D P沟道 扩散情况：NP>>NN 二、工作原理（以P沟道为例，N沟道见书） UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 5.1.1 结型场效应管: P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。何种载流子导电？ 二、工作原理（以P沟道为例） 5.1.1 结型场效应管: P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID 二、工作原理（以P沟道为例） 5.1.1 结型场效应管: P G S D UDS UGS UGS<Vp且UDS>0、UGD<VP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端，PN结反压越大 ID 二、工作原理（以P沟道为例） 5.1.1 结型场效应管: P G S D UDS UGS UGS<Vp且UDS较大时UGD<VP时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID 二、工作原理（以P沟道为例） 5.1.1 结型场效应管: G S D UDS UGS UGS<Vp UGD=VP时 N N 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID 二、工作原理（以P沟道为例） 5.1.1 结型场效应管: G S D UDS UGS UGS<Vp UGD=VP时 N N 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID 二、工作原理（以P沟道为例） 5.1.1 结型场效应管: 二、工作原理（以P沟道为例） 5.1.1