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实验一：四探针法测量半导体电阻率 1、实验目的 （1）熟悉四探针法测量半导体或金属材料电阻率的原理 （2）掌握四探针法测量半导体或金属材料电阻率的方法 2、实验仪器 XXXX型数字式四探针测试仪；型四探针测试仪硅单晶； 直流四探针法主要用于半导体材料或金属材料等低电阻率的测量。所用的仪器示意图以及与样品的接线图如图1所示。由图1 a 可见，测试过程中四根金属探针与样品表面接触，外侧1和4两根为通电流探针，内侧2和3两根是测电压探针。由恒流源经1和4两根探针输入小电流使样品内部产生压降，同时用高阻抗的静电计、电子毫伏计或数字电压表测出其它两根探针（探针2和探针3）之间的电压V23。 图1 四探针法电阻率测量原理示意图 若一块电阻率为的均匀半导体样品，其几何尺寸相对探针间距来说可以看作半无限大。当探针引入的点电流源的电流为，由于均匀导体内恒定电场的等位面为球面，则在半径为处等位面的面积为，电流密度为 （1） 根据电流密度与电导率的关系可得 （2） 距离点电荷处的电势为 （3） 半导体内各点的电势应为四个探针在该点所形成电势的矢量和。通过数学推导，四探针法测量电阻率的公式可表示为 （4） 式中，为探针系数，与探针间距有关，单位为cm。 若四探针在同一直线上，如图1 a 所示，当其探针间距均为时，则被测样品的电阻率为 （5） 此即常见的直流等间距四探针法测电阻率的公式。 有时为了缩小测