电力电子技术实用复习指导.doc

第一章 电力电子器件 重点和难点： 一、电力二极管特性 静态特性主要是指其伏安特性，而动态特性是由于结电容的存在，电力二极管在零偏置、正向偏置和反向偏置者三种状态之间转换的时候，必然要要经历一个过渡过程，在这些过渡过程中，PN结的一些区域是需要一定的时间来调整其带电的状态，因而其电压－电流特性不能用通常所说的伏安特性来描述，而是随时间变化的；电力二极管的正向平均电流是指其长期运行时，在指定的管壳温度和散热条件下其允许流过的最大公频正旋半波电流的平均值；电力二极管的正向压降是指在指定的温度下，流过某一指定的稳定正向电流时对应的正向压降。 二、晶闸管的工作原理 参见教材P16，当对晶闸管施以正向电压且门极有电流注入则导通，当对其施以反相电压时晶闸管截止，而把正向电压改为反向电压或使的流过晶闸管的电流降低到接近与零的某一个数值时晶闸管关断。 三、MOSFET、IGBT的工作原理 1、电力MOSFET的工作原理 （1）截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源　极之间无电流流过。 （2）导电：在栅源极间加正电压UGS,当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。 2、IGBT的结构和工作原理 （1）三端器件：栅极G、集电极C和发射极E （2）驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。导通：uGE大于开启电压　U＝GE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。通态压降：电导调制　效应使电阻RN减小，使通态压降减小。关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 四、电力二极管工作原理 电力二极管工作原理与信息电子电路中的二极管的工作原理时一样的，都是以半导体PN结为基础的，电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 例题一、如何用万用表判别普通晶闸管的极性？如何用万用表判别双向晶闸管的极性？ 答：1、选用R×100档，当黑笔接某一电极，红笔依次碰触另外两个电极，若有一次阻值很小，另一次阻值很大，则黑笔接的是门极，在阻值小时红笔接的是阴极，在阻值大时红笔接的是阳极。 2a、根据T2与G相距较近，正反向电阻仅为几十(，而T1-T2、T1-G为∞，选用R×10档判断T1； 2b、假设T2、G，用Ⅰ+、Ⅲ-方式判别、验证。 例题二、如图1.1所示，阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im ，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。 图1.1 解：a) Id1= I1= b) Id2= I2= c) Id3= I3= 1. 为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般工作在____状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为____，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为____。3.电力电子器件组成的系统，一般由____、__、 __三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加___。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为__ 、 __ 、__三类。5.电力二极管的工作特性可概括为__。6.电力二极管的主要类型有__、__、 __。7.肖特基二极管的开关损耗__快恢复二极管的开关损耗。8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向有触发则导通、反向截止__ 。9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL____IH 。10.晶闸管断态不重复电压UDM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDM_大于__Ubo。11.逆导晶闸管是将__与晶闸管__（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。12.GTO的____结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。1.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的____、前者的非饱和区对应后者的___。1.电力MOSFET的通态电阻具有____温度系数。1.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而___，开关速度____电力MOSFET 。1.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为__和__两类。.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有_