江璐微电子实验一.docVIP

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2016-08-23 发布于浙江
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江璐微电子实验一.doc

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江璐微电子实验一

微电子器件与电路实验报告姓名江璐学号 1315212017 合作人无实验时间 2015.11.12 实验成绩教师签名实验名称实验一二极管电学特性仿真验证实验实验设备 (1)计算机 (2)Multisim 12 实验目的 1.各种类型的二极管的IV特性测试 2.各种类型的二极管正向导通电压随温度漂移特性测试 3.齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性测试 4.各种二极管的CV特性曲线测试实验内容 1.普通二极管、齐纳二极管、肖特基二极管、LED二极管IV特性分析 2.普通二极管、齐纳二极管、肖特基二极管正向导通电压随温度漂移特性分析 3.齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性分析 4.普通二极管、肖特基二极管、变容二极管CV特性分析实验报告要求 1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 按实验报告要求操作、记录数据(波形)、处理数据(波形) 实验记录：实验1.1 二极管IV特性分析(IV分析仪) 1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管、LED蓝灯(LED_blue)的正向导通电压及反向击穿电压，及IV特性波形记录实验1.2 二极管IV特性分析 1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管正向偏置下指定电流下的二极管偏压及IV特性曲线实验1.3 二极管正偏电压随温度漂移特性 1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管在1mA恒流驱动下，二极管正向导通电压随温度漂移特性及波形记录实验1.4 齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性 1N4728A，1N4733A，1N4743A在10mA恒流驱动下，反向击穿电压随温度漂移特性及波形记录实验1.5 二极管反向偏置下CV特性 1N4001普通二极管、1N5817G肖特基二极管、BB112变容二极管反偏CV特性测试及Excell数据处理绘制CV特性曲线实验1.1二极管IV特性分析(IV分析仪) 二极管正向导通电压及反向击穿电压数据记录表格1-1 IV分析仪分析二极管IV特性型号正向导通电压V@1mA 反向击穿电压V@-1mA 1 1N4001 535.2101mV -53.0585V 2 1N4728A 493.7053mV -3.1874V 3 1N5817G 122.8217mV -19.9991V 4 蓝光LED 3.2150V -60.9532V ①将1N4001二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】 ②将1N4728A二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】 ③将1N5817G二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】 ④将蓝光LED二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】实验1.2二极管IV特性分析(直流分析) 正向偏置状态下二极管的IV特性，并计算电流增加10倍时，二极管正向偏压的增加值计算方法：比如0.1mA时电压为416mV,1mA时电压为535mV，电压增量为△V=119mV。表格1-2 二极管正向偏置下IV特性型号 V@0.1mA V@1mA V@10mA V@100mA V@1000mA 1 1N4001 416.315mV 535.448mV 654.943mV 777.908mV 935.587mV △V ------- 119.133mV 119.495mV 122.965mV 157.679mV 2 1N4728A 434.609mV 494.166mV 553.728mV 613.372mV 673.829mV △V ------- 59.557mV 59.562mV 59.644mV 60.457mV 3 1N5817G 51.334mV 123.124mV 202.328mV 286.590mV 413.441mV △V ------- 71.79mV 79.204mV 84.262mV 126.851mV ①将1N4001二极管IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注各个电流点的二极管电压值