材料物理讲稿第3章.pptVIP

3.1 晶体缺陷概述(Summary of crystal defects) 3.2.5 点缺陷对性能的影响（Influences of point defects on properties) 3.2.6 过饱和点缺陷（Supersaturation point defects ) 产生原因： 刃型位错的半原子面垂直于滑移面的上下移动 攀移伴随着扩散，需要比滑移更大的能量，所以攀移需要热激活，称为非守恒运动。 滑移不需要热激活，称为守恒运动。 位错密度为晶体单位体积内位错线的长度 位错的应变能：位错造成晶体的局部应变，引起的自由能升高 单位长度位错所引起的应变能： E=?Gb2 G：切弹性模量，b：柏氏矢量的模，?：与几何因素有关的系数，取值为0.5～1。 形成过程 形成过程 晶界面由周期性排列的结构单元组成。 概念：晶体中的局部的堆垛顺序错误，是一种面缺陷。 例:fcc密排面的正确堆垛顺序ABCABCABC……因晶体生长时的随机错误或晶面相对滑动，出现ABCBCABC……或ABCBABCABC……堆垛，局部顺序由原来的“正序” AB、BC、CA变成“反序”BA、AC、CB，相当于正确堆垛顺序中抽出或插入了一层密排面。 实例：锗{111}清洁表面的弛豫（金刚石结构） 一般认为错配度5%时两相可完全共格；错配度在5～25%时则形成半共格界面；错配度25%时只能形成非共格界面。 界面能：相界面引起的单位面积自由能升高。 相界的界面能与界面类型有关：非共格最高，共格最低。 柏氏矢量垂直的平行刃型位错墙 两组位错各自的间距 ——密度由?和?决定 扭转晶界 螺型位错网 每组位错的间距 D＝f(?)随取向差? 增大而减小。 若?≥15°，可计算出D≤4b（柏氏矢量，原子间距），位错墙模型不再适用，为小角度晶界的角度上限。 小角度晶界可看成一系列位错有规则排列构成的位错墙。位错间隔 小角度晶界的结构特征 实际的小角度晶界——旋转轴和界面可以是任意取向关系，由刃型位错和螺型位错组合构成。 大角度晶界 大角晶界处总有几个原子层排列混乱，有不同的模型描述。 过冷液体模型：认为晶界上的原子排列类似于微晶，具有长程无序，短程有序的特点。——晶界各向同性，可解释葛庭燧发现的晶界滑移引起的内耗。 小岛模型：认为晶界是由具有结晶特征的岛和具有非晶特征的海构成的 ——可解释晶界扩散的各向异性。 大角晶界的原子排列方式有不同的模型来描述。各能解释一些实验现象，但也都有与实验事实不相符的地方。 A晶粒与B晶粒有1／5的原子处于重合位置。 例：简单立方点阵 晶界两侧的部分原子同时处于A晶粒和B晶粒的点阵上，这类原子位置称为重合位置。所有重合位置所构成的点阵称为重合位置点阵。 重合位置点阵模型 任意角度晶界：特殊晶界＋小角度晶界（位错墙） 重合位置密度：重合位置占总点阵位置上的比例。 重合位置密度越大，晶界上原子排列的畸变越小，晶界能越低。 bcc：分别绕[110]轴旋转50.5o，绕[100]轴旋转36.9o，绕[110]轴旋转70.5o、38.9o，绕[111]轴旋转60.5o、38.2o，有1/11、1/5、1/3、1/9、1/3、1/7的原子处于重合位置点阵上。 fcc：分别绕[110]轴旋转50.5o，绕[100]轴旋转36.9o，绕[110]轴旋转38.9o，绕[111]轴旋转60.0o、38.2o，有1/11、1/5、1/9、1/7、1/7的原子处于重合位置点阵上。 MgO晶体中晶界结构单元组态的高分辨电镜(High Resolution Electron Microscope, HREM)照片及其结构单元 结构单元模型 结构单元：通过原子位置调整而得到的具有最低交互作用能的界面组态，是一些特征的多边形的原子组合。 晶界引起的单位面积上的自由能升高。 小角度晶界的晶界能 晶界能 晶界能?随?增大而升高。因位错密度随?增大而升高。 ?=?0?(A-ln?) A为积分常数，取决于位错中心的原子错排能； 其中G为晶体的切弹性模量，b为位错的柏氏矢量的模，?为泊松比。 铜的晶界能与取向差的关系 大角度晶界的晶界能与取向差无关 取向差超过10o或 15o后，小角度晶界能公式不再适用。 小角度晶界与大角度晶界的区别： 小角度晶界可用位错模型描述，大角度晶界不能 小角度晶界的晶界能与?有关，大角度晶界相反 二者不存在绝对界限 晶界的作用： 晶界消失会导致自由能降低 ——优先腐蚀，相变中的优先形核位置 溶质原子偏聚于晶界 晶界处的扩散容易 常温下会阻碍位错