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主板常用元器件知識 一：電阻 什麽是電阻： 定義：阻止电流通过，同时使电能转换为热能 電阻的特性參數： 阻值，誤差值，尺寸 二：電容 什麽是電容： 电容就是容纳和释放电荷的电子元器件电容的基本工作原理就是充电放电，当然还有整流、振荡以及其它的作用隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件储能：储存电能 3：分類： MLCC類：NPO，X7R，X5R ，Y5V。 電解電容類：液態電解電容，固態電解電容 4：電容特性參數 MLCC類：容值，誤差值，尺寸，耐壓值，種類 電解電容類：容量，誤差，耐壓值，耐溫值，ESR，波紋電流 Ripple Current ，泄漏電流 leakage current ，損失角 三：繞線電感 繞線電感的作用： 基本作用：通直流電，阻交流電 电感在整个供电系统的作用主要有：一方面是过滤高频信号，二是与MOSFET管、电容等组成直流电转换电路电感性能的好坏，与它所采用的铜线粗细、绕线方式、有无磁芯有关系电感量感抗XL 即电感线圈对交流电流阻碍作用的大小 线圈的Q值用P型半導體和N型半導體組成的器件二極管作用： 單向導電，有開關，保險，穩壓，整流，交流電變直流電等作用。 三極管的參數： 最大整流電流If，反向擊穿電壓Vbr，反向電流Ir 三極管的分類： 整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT）、发光二极管、稳压二极管三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c具有电流放大作用 三極管的分類 按結構工藝分類：PNP型，NPN型 按製造材料分類：鍺管和硅管 按工作頻率分類：低頻管和高頻管 三級管性能參數： 共射电流放大系数β。β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数 反向击穿电压值U BR CEO。指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。 最大集电极电流ICM。指由于三极管集电极电流IC过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的IC值）。 最大管耗PCM。指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。 穿透电流ICEO。指在三极管基极电流IB 0时，流过集电极的电流IC。它表明基极对集电极电流失控的程度。 特征频率fT。指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。 六：MOS管 什麽是MOS管： MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻场效应管有三个电极：D Drain 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G Gate 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S Source 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。MOSFET场效应管的开关作用integrated circuit （集成電路） 主板上常用IC及作用 I/O 定義：Input/Output，負責基本輸入、輸出功能的電路控制器。常見I/O有ITE IT7805F， FIT F71872F，Winboard W83627THF 作用：直接管理控制串并口、FDD接口、IRC接口、K/M（键盘/鼠标）接口。此芯片受控于南桥，它与主板的D（数据）总线和C（控制）总线相连定義：直接控制COM接口，目前我們主板用到的有確良75232，75185 音效芯片 定義：顧名思意，當然是音效控制芯片，分有AC97和HD（高保真）兩類，我們公司用的都為ALC系列芯片，如ALC655，ALC883 網路芯片 定義：網絡控制器，，有10/100MB和1000MB兩類，我們公司常用的是RTL系列芯片，如RTL8201，RTL8111B 南橋芯片 定義：主板上有兩顆大IC芯片，因它位於主板的南部，故稱之為南橋。 市場上主要有Intel ICH系列，VIA VT823*系列，NVIDIA MCP系列（NF3以後與北橋集成在一起） 作用：主要负责外部设备的管理，管理硬盘、光驱、IDE口、连接I/O芯片，对于某些高档主板它还是K/B控制器，也是PCI与ISA总线之间的桥梁，还集成DMA控制器。其内部包括ISA总线控制器、IDE接口控制器、