组原--2.半导体存储器实验报告.docVIP

实验内容： 半导体存储器实验 专 业： 华科地大计算机双学位 班 级： 1201 学 号： U201216208 姓 名： 丁红玉（同组：刘慧） 电 话： 邮 件： 940366193@ 报告日期： 2014-12-14 指导教师： 姚杰 万胜刚 目 录 1 实验目的 1 2 实验设备 1 3 实验原理 1 4 预备知识 3 4.1 74LS6116芯片 1 4.2 74LS373芯片 2 4.3 74LS244芯片 2 5 实验内容 5 5.1 实验思路 5 5.2 实验方案 5 6 过程与调试 6 6.1 实验步骤 6 6.2 测试用例 6 6.3 结果与分析 6 7 总结与心得 6 7.1 实验总结 6 7.2 实验心得 6 8 参考文献 6 实验目的 熟悉芯片74LS6116的工作原理 掌握半导体随机读写存储器RAM的工作原理特性及其使用方法。 掌握半导体存储器进行读写的过程。 掌握半导体存储器扩充的方法。 掌握测量半导体存储器读/ 写周期的方法。 实验设备 实验台：JZYL—Ⅱ型计算机组成原理实验仪一台。 主要芯片： 74LS6116：静态存储器芯片 1片 74LS244：八路原码输出三态门 1片 74LS373：同步4位计数器 1片 其它基本器件若干 实验原理 本实验采用2114或6116随机访问存储器(RAM)。 2114 芯片采用NMOS 工艺制成，容量为1 K*4 。它有10位地址线(A0 ~ A9) ，4位输入/输出线(I/O1 ~I/O4)，1个读/ 写控制端(WE)，l个片选端(CS) 。 6116 芯片容量为2 K*8 ，它有11 根地址线(A0 ~ A10) ,8根数据线(I/O1 ~I/O8 )。它比2114 芯片多了1 根控制线OE 端，与WE 端配合使用控制读/ 写。 2114 芯片由存储体、译码器、读/ 写控制电路、三态输入/ 输出缓冲器等部分组成。存储体是它的主体部分，用于寄存信息;译码器的作用是按地址选择要访问的存储单元，它又分为行译码和列译码两部分;读/ 写控制电路按读/ 写命令控制把数据从存储体中读出并放大或将数据写人存储体中;三态输入/输出缓冲器用于接收外界数据或向外界发送数据，它具有三态性能，可与总线直接相连。 存储器进行工作时，应先加人访问的存储单元地址(A0 ~ A9) ，后根据读/ 写要求确定读/写控制端WE 的信号及片选端CS 的信号。 通常的操作方法为:先选择地址，再输入要写人的数据，然后进行写操作，写完后再将数据读出来，以验证正确与否。 注意：地址线有高低之分，数据线的高低由实验者自己决定。 预备知识 74LS6116芯片 概述 74LS6116芯片容量为2K*8，它有11根地址线（A0---A10））74LS6116真值表为： 74LS6116的引脚图如上（右）： 当74LS6116读取数据时，其处理过程时序图为： 当74LS6116写入数据时，其处理过程时序图为： 74LS373芯片 74LS373是一个8D锁存器。当三态允许控制端 OE 为低电平时，O0~O7 为正常逻辑状态，可用来驱动负载或总线。 当 OE 为高电平时，O0~O7 呈高阻态，即不驱动总线，也不为总线的负载，但锁存器内部的逻辑操作不受影响。 　　 当锁存允许端 LE 为高电平时，O 随数据 D 而变。 当 LE 为低电平时，O 被锁存在已建立的数据电平。 当 LE 端施密特触发器的输入滞后作用，使交流和直流噪声抗扰度被改善 400mV 引出端符号如下： D0～D7 数据输入端 ； OE 三态允许控制端（低电平有效）； LE 锁存允许端； 　　 O0~O7 输出端 74LS373管脚图 74LS244芯片 1. 概述 74LS244是一个3态8位缓冲器。控制8位数据的输入的，Oea和Oeb是控制信号，接同一个开关，低电平有效，当他们为低电平时，对应的输出端和输入一样再控制6116便可以存入数据。当控制信号为高电平时，输出端为高阻 2. 真值表 输 入 输 出 ~Oea Ia Oeb Ib Ya Yb L L L L L L L H L H H H H X H X 高阻 高阻 3. 引脚图： 实验内容 实验思路 整个实验的基本思想如下： 存储数据是通过把要存放数据的地址输入到74LS244，锁存到74LS373后输入数据，那么RAM中相应地址出就存放了对应的数据；读取数据是通过输入需要读取数据的