光电技术第3章第2节资料.pptVIP

3.3 光生伏特器件的偏置电路（重点掌握） 3.3.1 反向偏置电路（以光电二极管为例） 2.输出电流、电压与辐射量间的关系 光伏探测器光电变换电路的参数计算 1 反偏下光电二极管的偏置电路分析与计算（缓变光辐射，静态计算） （1）图解法 光伏探测器光电变换电路的参数计算 2 光生电势型探测电路的静态计算（缓变光辐射） 光伏探测器光电变换电路的参数计算 例:光电池在光照度为100lx时,开路电压VOC=180mv,ISC=80μA,求在由50lx增加到200lx时,为保证线性输出所需最佳负载电阻值和输出电压变化量;若加有反偏压Vb=0.3V,允许选用的负载电阻RL=?输出电压△V=? 光伏探测器光电变换电路的参数计算 *3（了解） 反偏下光电二极管的偏置电路分析与计算（交变光辐射 关键确定动态工作点） 3.光电三极管反向偏置电路的设计与计算 3.3.2 零伏置电路 （自偏置电路，负载电阻为零） 3.2.6 光伏器件组合器件 1、象限阵列光伏器件组合件（象限探测器）：准直、定位及跟踪等方面） 象限探测器的缺点： 1、需要分割，从而产生死区，尤其当光斑很小时，死 区的影响更明显。 2、若被测光斑全部落入某个象限时，输出的电信号无 法表示光斑位置，因此其测量范围及控制范围都不大。 3、测量精度与光强变化及漂移密切相关，因此其分辨率及精度受到限制。 2、线阵列光伏器件组合件 3、楔环阵列组合件（光学功率谱探测） 3.2.7 光电位置敏感器件（PSD）(基于光生伏特器件的横向效应器件) PSD是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心位置的结型光电器件，有一维的和二维的两种。 当入射光是一个小光斑，照射到光敏面时，其输出则与光的能量中心位置有关。 这种器件和象限光电器件比较，其特点是，它对光斑的形状无严格要求， 光敏面上无象限分隔线， 对光斑位置可连续测量。 PSD应用于激光束的监控（对准、位移和振动）、平面度检测、二维位置检测系统等。 3.2.7 光电位置敏感器件（PSD） 2. 一维PSD器件 3.二维PSD器件（单面型和双面型） 3.4 半导体光电器件的特性参数与选择问题 3.4.1 半导体光电器件的特性参数比较 5、光谱响应：光敏电阻的光谱响应最宽（尤其是红外波段的光敏电阻）。 6、供电电源与应用的灵活性 光敏电阻无极性，可用于交、直流电源；光电池可不加偏压，但线性差；其它光伏器件要加反偏。 7、暗电流与噪声：光电二极管的暗电流最小，光敏电阻及其它光伏器件的暗电流较大。具有高放大倍率的复合光电三极管与面积较大的光电池的噪声最大。 1、光电器件必须和辐射源及光学系统在光谱上实现匹配。 2、光电器件的光电转换特性或动态范围必须与光信号的入射辐射能量相匹配。 3、光电器件的时间响应特性必须与光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以确保变换后的信号不产生由于频率失真引起的输出波形失真。 4、光电器件与变换电路必须与应用电路的输入阻抗良好匹配。 5、必须注意选择器件的参数和使用环境。 作业 P74: 3.8 3.9 3.10 3.11( Uz=1.0v，Ubb=12v) 3.18 3.18、在图3-47所示的光电变换电路中，若已知3DU2的电流灵敏度SI=0.15mA/lx，电阻RL=51kΩ，三极管9014的电流放大倍率β=120，若要求该光电变换电路在照度变化为200 lx的范围情况下，输出电压ΔUo的变化不小于2.5V，问： 1. PSD器件的工作原理 当光束入射到PSD器件光敏层上距中心点的距离为xA时，在入射位置上产生与入射辐射成正比的信号电荷，此电荷形成的光电流通过电阻p型层分别由电极1与2输出。设p型层的电阻是均匀的，两电极间的距离为2L，流过两电极的电流分别为I1和I2，则流过n型层上电极的电流I0为I1和I2之和。 I0= I1+I2 一维PSD器件主要用来测量光斑在一维方向上的位置或位置移动量的装置。图3-34（a）为典型一维PSD器件S1543的结构示意图，其中1和2为信号电极，3为公共电极。它的光敏面为细长的矩形条。 图3-35所示，为一维PSD位置检测电路原理图，光电流I1经反向放大器A1放大后分别送给放大器A3与A4，而光电流I2经反向放大器A2放大后也分别送给放大器A3与A4，放大器A3为加法电路，完成光电流I1与I2相加的运算（放大器A5用来调整运算后信号的相位）；放大器A4用作减法电路，完成光电流I2与I1相减的运算。 如图3-36（a）所示，在正方形的PIN硅片的光敏面上设置2对电极，分别