BSOBa.docVIP

我们做的是SMD3528全彩的材料，bsob模式打线，ASM eg60机台，gaiser1.5的瓷嘴，1.0的金线，不知道bsob模式需要调哪些参数，老是断线。希望有做过同类材料的同行给一份参数，要自己确实用过的，没做过的就不要写了，如果有用，还可以追加金币的。 1 是bsob的那个点断吗？ 可以试试调整劈刀的OFFSET，还可以更改切尾丝的模式 2 1.0的金线用1.3的磁嘴就行了，这样BSOB好调一点。其实BSOB到了EAGLE60已经很好调的呀，不像AB339了，参数大多都是独立的了，主要调好以下参数就差不多了 植球的参数，BSOB BALL PARAMETER，就是时间功率和FORCE了，这个一般和第一点参数差不多.鱼尾压在球上的参数，这个东西多一点，要点经验，断线的话一般都是这里引起的 真要请教，先把你的参数抄一份上来，大家才好帮你忙又不用那么费劲啊 Loop Base：3；Ball Offset: -60；Ball Thickness: 4;Scrub Distance:25;我这这些参数跑得很久了，没有一点问题… 要根据你的残料才能出参数，主要都是在ball control 和wire control 里面。 楼主用的基板是什么样的，LF还是substrate，对你的封装不是很了解。 这个嘛，参数不难，一般1st wire 用60-70 ，2nd用50-50，老断线可能是球烧得不好。看一下瓷嘴和打火杆的位置，还有就是打火的那一块，一般就这些小问题，同时确保你的金线经过的每部份都是干净的 我个人觉得 你老是断线的原因 就是因为瓷嘴的直径超过了线径的1.5倍啊！我们公司一般都是0.8的线配1.0瓷嘴 1.0的线配1.3的瓷嘴 一般认为可以增加电流值，烧球时间，线尾长度，必须得分析在哪里断的线才好下手 我在做BSOB产品的时候 在从lead打到pad的那根线的second bond处总是有类似于小尾巴的小线尾，引起EFO open 不论我增加参数或是减小参数 总是不能很好的解决。有人和我说过 sencond bond 有小尾巴 很多时候是你功率用的不够,我们的设备是ESEC 3088 sencond bond parameter: impact force 400-450: force: 300-400 power:15-20 time：8-10 temp：180度 -EFO paremeter: 1.0mil auto FAB: 58-60 我们的cap H、T和CD 都比较大 H：1.5mil 我在考虑是不是我们的cap不是非常适合于做BSOB的关系,同时我们的lead frame比较硬 希望有经验的xdjm给我点方向:wall: 1 我想会不会是sencond bond和bump焊接的时候共金太好的关系，以至于tail不能完全拉出来 2 你的capillary的inside chamfer angle是多少度? 以前我也遇过,不过使用kns.kns建议使用90度的inside chamfer angle的cap 3 最近才上来看看，其实16楼讲对一些。所谓BSOB，你应该在chip上先要打一个球 的，为什么看不到？其实你的根本原因就是CAP没有把金线截断，Tail就无法控制。粘合区域只能靠OR部分来控制。你可以加大2nd的force试试（直到有了Mark），这样你W/B就没有问题了，问题全跑Test了，呵呵！你这样没有球的情况下，用很大力的话，Cap和铝直接接触，弹坑无法避免。当然底下没有电路或许Test没有问题 各位大侠，小弟想请教铜线在WB过程中使用BSOB是否可行？为什么？还请大家多多赐教，谢谢 1 BSOB 在copper wire 中是可以实现的。MOS 产品上由于芯片的表面成分都在3.5~4um所以大多不用担心cratering 问题，但是主要的问题还是芯片表面的成分：是AlSiSu还是AlCu的，这有很大的关系 ,IC产品中也有很多公司在研发，对于IC产品线径在0.8~1.0mil的其实更容易生产。1.2um可以达到要求的,这里强调一下QFN的铜线需要low power， high force。铜线对top plate 和window clamp 等yao硬件的要求要远远大于金线的。这是一个很重要的因素、 2 1.bump ball 置球完是一个纯铜的ball处于Die pad,并且无任何保护气体，裸露去空气中，ball表面氧化的几率非常大； 2.当机器normal ball置球完成，loop过程完成后，2nd bond 将要与一个表面存在氧化的ball 结合是否有困难，更何况此时的铜线表面还有镀层钯的保护。 综合以上两点，是否有影响呢？如果难结合，就只能加