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########### DXP2004下Miscellaneous Devices.Intlib元件库中常用元件有： 电阻系列（res*）排组（res pack*）电感（inductor*）电容（cap*，capacitor*）二极管系列（diode*，d*）三极管系列（npn*，pnp*，mos*，MOSFET*，MESFET*，jfet*，IGBT*）运算放大器系列（op*）继电器（relay*）8位数码显示管（dpy*）电桥（bri*bridge）光电耦合器 opto* ，optoisolator 光电二极管、三极管（photo*）模数转换、数模转换器（adc-8，dac-8）晶振（xtal）电源（battery）喇叭（speaker）麦克风（mic*）小灯泡（lamp*）响铃（bell）天线（antenna）保险丝（fuse*）开关系列（sw*）跳线（jumper*）变压器系列（trans*）？？？？（tube*）（scr）（neon）（buzzer）（coax） 晶振（crystal oscillator）的元件库名称是Miscellaneous Devices.Intlib, 在search栏中输入 *soc 即可。 ########### DXP2004下Miscellaneous connectors.Intlib元件库中常用元件有： con*，connector*  header*  MHDR* 定时器NE555P 在库TI analog timer circit.Intlib中 电阻 AXIAL 无极性电容 RAD 电解电容 RB- 电位器 VR 二极管 DIODE 三极管 TO 电源稳压块78和79系列 TO-126H和TO-126V 场效应管 和三极管一样 整流桥 D-44 D-37 D-46 单排多针插座 CON SIP 双列直插元件 DIP 晶振 XTAL1 电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列 无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5 二极管:封装属性为diode-0.4 小功率 diode-0.7 大功率 三极管:常见的封装属性为to-18 普通三极管 to-22 大功率三极管 to-3 大功率达林 顿管 电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等 79系列有7905,7912,7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列 D- MAX197既可以使用内部参考电压源，也可以使用外部参考电压源。当使用内部参考源时，芯片内部的2.5V基准源经放大后向REF提供4.096V参考电平。这时应在REF与AGND之间接入一个4.7μF电容，在REFADJ与AGND之间接入一个0.01μF电容。当使用外部参考源时，接至REF的外部参考源必须能够提供400μA的直流工作电流，且输出电阻小于10Ω。如果参考源噪声较大，应在REF端与模拟信号地之间接一个4.7μF电容。模拟量输入通道拥有±16.5V的过电压保护，即使在关断状态下，保护也有效。 　　通过将控制寄存器的ACQMOD位置0可选择内部采集控制模式。在内部采集控制模式下，写信号脉冲将开始一个由内部定时控制长度的采集间隔。在6个时钟周期长度的采集间隔结束时，将启动下一个转换。 　　在内部采集控制模式下，MAX197的模拟信号输入电路拥有5MHz的信号带宽，当使用内部采集控制模式并使用外接2MHz时钟时，可达到100kSa/s的通过速率。 　　通过将控制寄存器的ACQMOD位置1可选择外部采集控制模式。采用外部采集控制模式是为了精确控制采样孔径或独立控制采集和转换时间。由用户分别通过两个写信号脉冲控制采集间隔和开始转换时间，第一个写信号脉冲时将控制寄存器的ACQMOD位置1，开始一个采集间隔。第二个写信号脉冲时将控制寄存器的ACQMOD位置0，结束采集间隔并开始转换。然而，如果在第二个写信号脉冲时将控制寄存器的ACQMOD位置1，则将开始又一个采集间隔。 　　在第一个写信号脉冲和第二个写信号脉冲时，控制寄存器中的模拟通道选择位必须置相同的值。电源关断模式控制位可以置不同的值。 　　选用AT89C51单片机作为主处理器。通过P0.0～P0.7与MAX197的D0～D7相连，既用于输入MAX197的初始化控制字，也用于读取转换结果数据。用AT89C51单片机的P2.7作片选信号，则MAX197的高位地址为7FH。选择MAX197为软件