第7章 金属化.ppt

第7章 金属化 金属化是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。这一过程类似于汽车工业中用表面绝缘的铜线连通所有电组件以形成全功能的电系统。金属线被夹在两个介质绝缘层中间形成电整体。高性能的微处理器用金属线在一个芯片上连接几千万个器件。随着互连复杂性的相应增加，到2010年，每个芯片上晶体管的密度预计将达到十亿个。 由于需要减小信号的传播延迟，对于未来集成电路的性能来说微芯片的互连技术已经成为关键的挑战。由于超大规模集成电路组件的密度增加，互连电阻和寄生电容也会随之增加，因此降低了信号的传播速度。 在芯片制造技术中，目前刚刚起步的明显变化是减小金属互连的电阻率ρ，这种减小通过用铜取代铝作为基本的导电金属而实现。对深亚微米的线宽，需要低k层间介质（ILD）。电容导致信号延迟，降低介电常数将减少寄生电容。 传统上认为，在芯片上淀积金属薄膜的过程是物理过程，另一方面淀积绝缘和半导体层的过程涉及CVD化学反应过程。随着新的IC金属化技术引入，这种物理和化学过程的分界线变得越来越模糊。 7.1 引言 芯片金属化是应用化学或物理处理方法在芯片上淀积导电金属薄膜的过程。这一过程与介质的淀积紧密相连，金属线在IC电路中传导信号，介质层则保证信号不受邻近金属线的影响。金属和介质都是薄膜处理工艺，在某些情况下金属和介质是由同种设备淀积的。 金属化对不同金属连接有专门的术语名称。互连意指由导电材料，如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。互连也被用做芯片上器件和整个封装之间普通的金属连接。接触是指硅芯片内的器件与第一金属层之间在硅表面的连接。通孔是穿过各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层形成电通路的开口。“填充薄膜”是指用金属薄膜填充通孔，以便在两金属层之间形成电连接。这些连接在下图中阐明。 7.1 引言 7.1 引言 层间介质（ILD）是绝缘材料，它分离了金属之间的电连接。ILD一旦被淀积，便被光刻成图形、刻蚀以便为各金属层和硅之间形成通路。用金属填充通孔，通常是钨（W），形成通孔填充薄膜。在一个芯片上有许多通孔，据估计，一个300mm见方单层芯片上的通孔数达到一千亿个。在一层ILD中制备通孔的工艺，在芯片上的每层中都被重复。在传统的金属化过程中，铝合金金属覆盖层被淀积在介质层上，然后被光刻成图形、刻蚀形成金属连线。对传统的金属化来说，金属刻蚀是一个重要的技术。 金属化正处在一个过渡时期，随着铜冶金术的介入正经历着快速变化以取代铝合金。这种变化源于刻蚀铜很困难，为了克服这个问题，铜冶金术应用双大马士革法处理，以形成通孔和铜互连。这种金属化过程字面上与传统的金属化过程相反（见下图）。首先大马士革方法淀积介质覆盖层、平整化介质、光刻成图形、在介质层为通孔和连接金属线刻蚀孔或者沟，然后淀积金属覆盖层进入沟中，平坦化、研磨金属层直到介质层表面以确定金属互连。 7.1 引言 7.1 引言 金属化技术对于提高高级IC的性能很关键。对于旧IC技术而言，由互连线引起的信号延迟使得芯片的性能降低不是关注的焦点。因为在传统器件中，主要信号延迟是由器件引起的。然而，对新一代ULSI产品制造业而言情况就不同了，金属布线越密，互连线引起的信号延迟占去时钟周期的部分就越大，对IC性能的制约影响也越大。 7.2 金属类型 1．互连金属化材料的要求 作为一种比较理想的金属化互连材料，应具有以下5个特点。 (a)导电性能好。引起的损耗小。 (b)与半导体之间有良好的接触特性。 (c)性能稳定。要求金属化工艺完成后，金属化材料不和硅发生反应，金属化的特性不受外界环境条件的影响，工作过程中金属化层的完整性不会发生变化。 (d)台阶覆盖性能好。由于生产中多次进行氧化和光刻，使管芯表面不是完全平整的表面。特别是在接触窗口处，氧化层出现较大的台阶。金属化层应该能盖住管芯表面的所有台阶，防止台阶处金属化层变薄甚至出现断条情况。 (e)工艺相容。要求淀积金属时不应改变已有器件的特性，能用普通的光刻方法形成需要的金属化图形。 2．常用的金属化材料 (1)铝 与硅以及二氧化硅相同，铝是用于硅片制造中最主要的材料之一。在制造硅片时，铝以薄膜的形式在硅片中连接不同器件。同时，铝是淀积在硅片上的最厚的薄膜之一，第一层金属厚约5000?。在硅片上，上层非关键层（例如，具有焊接区的金属层）其厚度能达到20000?。 铝在20℃时具有2.65uΩ-cm的低电阻率，但比铜、金、银的电阻铝稍高。然而铜和银