CMOS和TTL的对比.docVIP

CMOS和TTL电路的对比 一．组成上 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。CMOS集成电路采用场效应晶体管（MOSFET）互补结构构成，常用的门电路都可用n沟道MOS管（NMOS）和p沟道MOS管（PMOS）互补构成。 TTL（transistor-Transistor Logic）,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术 中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar-Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。 TTL电路是电流控制器件,而CMOS电路是电压控制器件。 二．功耗上和速度上 CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗（在1MHz工作频率时）也仅为几mW。 相对于CMOS集成电路TTL集成电路速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。 三．逻辑电平和噪声容限 1,TTL电平(什么是TTL电平)：???输出高电平2.4V,输出低电平0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平=2.0V,输入低电平=0.8V,噪声容限是0.4V。2,CMOS电平：??逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 TTL电平标准 输出 L： 0.8V ； H：2.4V。 输入 L： 1.2V ； H：2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。 CMOS电平： 输出 L： 0.1*Vcc ； H：0.9*Vcc。 输入 L： 0.3*Vcc ； H：0.7*Vcc. 四．使用方法上 1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以 ，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。（PS.与门中悬空端应接高电平（正逻辑的1），或门中悬空端应接高电平（正逻辑的0），这样才能保证输出信号不会出错） 2）输入端接低内阻的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。??3）当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。??4）当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 5）TTL电路中输入端悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电 平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时， 它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电 平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。 2901303013 彭力健 17号