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一、JFET的结构和工作原理 3.主要参数 二、N沟道耗尽型MOSFET 动态分析与JFET相同 动态分析与JFET完全相同（忽略） gm,rds给出 本章重点 结型场效应管和金属-氧化物-半导体场效应管的工作原理、特性曲线，参数 gm、rds的含义 场效应管的低频小信号模型及其动态分析 FET放大器和BJT放大器的异同点 3．场效应管与三极管的性能比较 (1) 场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 (2)场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 (3)场效应管栅极几乎不取电流；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 (4)场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 3．场效应管与三极管的性能比较 (5)场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。 (6)场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 (7)场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。 电压控制 电流控制 控制方式 简单、成本低 强 好 较小 107~1015W gm=1000~5000mA/V N沟道、P沟道 单极型 场效应管 较复杂 差 差 较大 102~104W ? = 50~200 PNP型、NPN型 双极型 晶体三极管 器件名称 制造工艺 抗辐射能力 热稳定性 噪声 输入电阻 放大参数 类型 极型特点 项目 作业 5.1.1 5.3.1 5.3.4 一. FET的直流偏置电路及静态分析 保证管子工作在饱和区，输出信号不失真 5. 3 JFET场效应管放大电路 1.自偏压电路 VGS =-IDR 注意：该电路产生负的栅源电压，所以 只能用于需要负栅源电压的电路。 计算Q点：VGS 、 ID 、VDS 已知VP ，由 VGS = - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID VDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： 2 P GS DSS D ) 1 ( V V I I - = ID + + + － g T Rd R R g C1 C2 vi VDD C d s － vo 2.分压式自偏压电路 可解出Q点的VGS 、 ID 计算Q点： 已知VP ，由 该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用于所有的场效应管电路。 VDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： R I V R R R D DD g2 g1 g2 - + = S G GS V V V - = R I V R R R V D DD g2 g1 g2 GS - + = 2 P DSS D ) 1 ( V VGS I I - = + + - - g T Rd R Cb1 vo vi +VDD C d s Rg1 Cb2 Rg2 Rg3 + + 二、FET的交流小信号模型分析法 与双极型晶体管一样，场效应管也是一种非线性器件，在交流小信号情况下，也可以由它的线性等效电路—交流小信号模型来代替。 研究电压、电流间的微变关系时，要用全微分表示，即 —称为低频跨导,表征vGS对iD的控制能力 —rd为场效应管的输出电阻,表明vDS对iD的影响程度 1. FET的小信号模型 - + + d g s vGS v ds iD - 高频模型 低频模型 + ?a + - Vds - S rgs rd g d id . Vgs . gmVgs . 2.应用小信号模型法分析共源FET放大电路 vi vo - + C Rg1 T Cb1 +VDD R g s d Rd RL + - Cb2 Rg2 Rg3 + + 分析：画出共源放大电路的交流小信号等效电路。 （1）求电压放大倍数 （2）求输入电阻 （3）求输出电阻 ) // ( g2 g1 g3 i R R R R + ? d o R R ? Vi Vo gmVgs . + - + g d Vgs Rg3 Ri RL - S - + Ro Rd