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第七章 半导体理论 第一节 半导体导电特性 1.关于P型半导体的下列说法，错误的是______。 A．空穴是多数载流子 B．在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极 C．在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体 D．在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成 2.关于N型半导体的下列说法，正确的是______。 A．只存在一种载流子：自由电子 B．在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极 C．在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体 D．在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成 3.关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是______。 A．自由电子、空穴、位于晶格上的离子 B．无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质 C．对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质 D．对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质 4.在P型半导体中多数载流子是______，在N型半导体中多数载流子是______。 A．空穴／自由电子 B．自由电子／空穴 C．空穴／共价键电子 D．负离子／正离子 5.一般来说，本征半导体的导电能力______，当掺入某些适当微量元素后其导电能力______。 A．很强／更强 B．很强／降低 C．很弱／提高D．很弱／更弱 第二节 PN结单向导电性 1.半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是______。 A．具有放大特性 B．具有单向导电性 C．具有改变电压特性 D．具有增强内电场特性 2.下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是______。 A．P端接+5 V，N端通过一电阻接+7 V B．N端接+2 V，P端通过一电阻接+7 V C．P端接-3 V，N端通过一电阻接+7 V D．P端接+1 V，N端通过一电阻接+6 V 3.下列说法正确的是______。 A．P型半导体带正电 B．N型半导体带正电 C．PN结为电的中性体 D．PN结存在内电场，用导线短接时，有电流产生 三 稳压管 1.图中稳压管的稳压值为6 V，正向压降为0.7 V，可求得U0=______。 A．6 V B．0.7 V C．6.7 V D．5.3 V 2.图中稳压管的稳压值为5 V，二极管正向导通管压降为0.7 V。可求得U0=______。 A．20 V B．5.7 V C．1.4 V D．10 V 3.稳压管正常工作时，一般情况下是工作在______状态。 A．反向击穿 B．放大 C．正向击穿 D．截止 第四节 单相整流电路 1.整流电路的目的是______。 A．直流电变交流电 B．电压放大 C．交流电变直流电 D．功率放大 2.单相半波整流电路，输入交流电压有效值为100 V，则输出的脉动电压平均值为______；二极管承受的最高反向电压为______。 A．45 V／100 V B．90 V／100 V C．90 V／141 V D．45 V／141 V 3.在单相半波整流电路中，输出直流电压平均值U0=______；二极管承受的最高反向电压UDRM=______。（设U为整流电路输入的交流电压的有效值） A．0.45U， B．0.9U， C．0.45U， D．0.9U， 4.单相桥式整流环节的输入电压为正弦波，该环节输出电压U0的波形是______。 5.桥式全波整流电路中，若有一只二极管短路将会导致的危害是______。 A．半波整流 B．波形失真 C．电路出现短路 D．输出电压平均值升高，可能烧毁负载 6.桥式全波整流电路中，若有一只二极管开路，将会导致的结果是______。 A．半波整流 B．输出电压为零 C．电路出现短路 D．输出电压平均值升高，可能烧毁负载 7.在桥式整流电路中，若有一只二极管极性接反，则会出现______；若有一只二极管被击穿短路，则会出现______。 A．半波整流／半波整流 B．无输出电压／半波整流 C．半波整流／无输出电压 D．烧毁电路／烧毁电路 8.同单相半波整流电路相比，桥式整流电路的主要优点是______。 A．电路结构简单 B．二极管承受的反向电压小 C．输出直流平均电流大 D．使用二极管数量少 滤波 1.在滤波电路中，电容器与负载______联，电感与负载______联。 A．串／并 B．并／串 C．并／并 D．串／串 2.单相半波或全波整流电路经电容滤波后的输出电压随着负载电阻增大，其脉动程度______。