3C和4H-SiC的电子结构和电荷转移.docVIP

3C和4H-SiC中的电子结构和电荷转移 摘要：我们使用一个局部密度泛函势、原子轨道线性组合（LCAO）法以及BZW程序，研究了3C-SiC和4H-SiC的电子结构。我们计算了能带、带隙、n-型载流子的有效质量以及临界点转变能量。计算出的电子性质与实验结果很好地吻合。对3C-SiC的初始总能量计算，找到了一个平衡晶格常数a=4.348 ?。计算出的电荷转移表明，在4H-SiC和 3C SiC中，每一个硅原子失去约1.4个电子，被一个碳原子获得。 1 引言 由于其优越的电子、机械和化学性能， SiC成为高温、高压设备中最有前途的材料1,2]。大的Si-C键键能使SiC可以抵抗化学侵蚀和辐射,并确保其在高温下的稳定性。SiC可能是具有最多的多晶类型的材料。超过200个SiC的多晶类型已经被确定。由于其有利的电子性能， 3C和4H-SiC多晶吸引了更多的注意力。 在本文中，我们使用从头计算法，研究了3C-SiC和4H-SiC的电子结构和电荷转移。基于密度泛函理论以及局域密度近似（LDA）[3,4]所建立的从头计算法，已经成为了研究半导体、金属、表面或者界面性质[5,6,7,8]的非常强大的工具。在这些计算中，多体电子系统的交互关联作用被表述为电荷密度的函数[3,4,5]。 然而，很多对半导体或者绝缘体的LDA计算都低估带