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数字电路chap5_new
磁表面存储器 磁表面存储器 写电流 磁环磁化 磁环缺口处形成漏磁场 磁层小区域磁化 撤去写电流,剩磁仍存在 写入信息 磁层在磁头下高速运动 磁通不断变化 读线圈感应电势 放大整形处理 磁化元的磁力线通过磁头形成闭合磁通回路 读出信息 磁头与磁表面存储器磁层之间的相对运动 非归零码的读出波形 (a) 归零码 (b) 归偏码 (c) 非归零码 非归零码的读出技术 归零码与归偏码的读出波形 磁表面存储器的特点 (1)非破坏性读出 (2)非易失性存储、可重复使用 (3)记录密度高,容量大,价格/位低 (4) 存取速度慢,机械结构复杂 光学存储原理与光学存储器 激光穿孔代替机械穿孔 存储密度高、信息保存时间长 成本不断下降 可写/可擦除光盘(CD-R/CD-RW)已推广 1.?类型: a. 只读光盘存储器,如,CD-ROM b. 只写一次型光盘存储器,如,CD-R c. 可擦除型光盘存储器,如,MO、PC 2 . 存储原理 利用激光束在记录表面上存储信息:将激光束聚焦成1μm左右的微小光点,使能量高度集中,在记录介质上产生物理或化学变化而存储信息。读出时,激光束在介质上扫描,根据反射光的变化判断记录的数据。 写入方式: (1) 形变 :只读型和只写一次写入情况。 (2) 相变(PC): 可擦除型 (3) 磁光(MO)存储:可擦除型 存储介质为吸光能力很强、熔点较低的金属薄膜。激光照射能形成凹坑。 有些光存储介质在激光照射下,晶体结构会发生变化。从晶态变为非晶态。 擦除时,用较长时间、光度稍弱些的光脉冲使它恢复原状。 存储介质是易于垂直磁化的磁性薄膜。利用激光照射降低介质的娇顽力。在弱磁场下,使磁化翻转。 擦除时,外加与写入相反的磁场,使它恢复原状。 存储器的层次化体系 解决存储器速度与成本之间的矛盾 光盘 机外 机内 磁带 辅存(磁表面存储器) 主存(半导体存储器) 超高速缓存 SRAM CPU DRAM 超高速缓存与主存之间的数据交换 辅存 主存 Cache CPU Cache Cache能高速向CPU提供指令和数据,加快程序的执行速度 超高速缓存数据调回主存原则 先进先出原则(FIFO) 最少使用者先出(Least Recently Used) 命中率与平均访问时间 Cache的命中率H: Cache完成存取的总次数 主存完成存取的总次数 Cache/主存 系统的平均访问时间Tav : 访问效率e: 存储器管理系统 存储器由CPU以外的独立硬件电路完成 存储器管理单元(Memory Management Unit -MMU) 虚拟存储器的概念 编码方式不同 交换数据 地址不同 假想的容量极大的存储器 地址方式与主存相同 程序调用虚拟地址(逻辑地址) 存储器管理单元映射实际地址(物理地址) 虚拟存储器的概念 常用数据调用方式 段式调用 Segment 页式调用 Page 段页式调用 段式调用 段指针存入段寄存器 实地址的形成 将程序中每一个功能独立的模块作为一段 页式调用 虚页号 页内偏移 20 12 虚地址:32位 实页号 页内偏移 9 12 实地址:21位 虚页号 实页号 20 9 查表输入 页表 21 将虚存与主存划分成大小相等的字块,分别称为虚页(或页面)和实页(或页框).将虚页和实页之间的地址对应关系用也表来表示. 按内容访问存储器(CAM) 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 输入寄存器 屏蔽寄存器 虚页号 页内偏移 数据寄存器 选择 寄存器 字线0 字线1 字线2 字线3 字线4 字线5 字线6 字线7 存储矩阵 输出寄存器 1 1 0 110100虚页号 实页号 存储器小结 掌握半导体存储器的分类和主要特点 掌握半导体存储器的扩展方式 了解其他类型存储器 熟悉了解存储器的层次化体系与虚拟存储器的概念 * * 存储矩阵由二极管组成,实际是用MOS管制作存储矩阵 * * * A1 D1 A0 D0 R/W CS A1 D1 A0 D0 R/W CS A1 D1 A0 D0 R/W CS A1 D1 A0 D0 R/W CS D1 D0 BIN/FOUR 1
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