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金屬濺鍍 (Sputter ) 講師:蕭忠良 金屬濺鍍(Sputter) 1.物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition ) 之濺鍍(Sputter) 1-1.原理:利用電漿(Plasma)所產生的離 子，對靶材(Target)的撞擊，使 電漿的氣相內具鍍物的粒子後 ，產生沈積現象形成薄膜。 1-2.目的:在晶片(wafer)上，濺鍍Ti/W Au 即UBM(under barrier metal)層。 1-3.UBM層: Ti/W 4500 ? Au 1000 ? 1-4.UBM的功能性: (1)附著(Adhesion) (2)屏障(Barrier) (3)導電(Conductive) 1-5.UBM的重要性: (1)附著不良導致:UBM層分離 (2)屏障不良導致:Ti/W層氧化、金擴散 與鋁形成合金 (3)導電不良導致:Bump缺陷或未生成 Sputter Process 1.Dry etch(移除Al氧化層:60~70 ?) 1-1.Ar bombard 1-2.RF-Etch 2.Sputter (Ion bombard) 2-1.Dc Sputter 2-2.Magnetron Dc Sputter 2-3.RF Sputter Sputter (Ion bombard) Dry Etch(Ar bombard) DC Etch For Non Conductive Material RF Etch For Non Conductive Material Situation:electron can move freely at chamber (plasma survive) Self-bias For RF Supply Situation:The substrate is always negative Principle:Due to the electron have higher mobility the number of electron hitting the substrate is higher than the number of ions Negative Potential on Substrate Formula:Va/Vb=(Ab/Aa)4(plasma is positive slightly) Situation:The substrate is always negative Magnetron Dc Sputter 目的:1.增加電子行徑距離(增加離子密度) 2.使離子對靶的轟擊較均勻 原因:1.高真空環境可增加離子在暗區動 能與自由半徑，但離子密度與Ar 利用率下降 2.增加靶材使用壽命 Presputter 不同濺鍍物污染靶材 濺鍍初期合金靶材的原子穩定度 Sputter Stress Stress=內應力+外應力+熱應力 內應力:外來雜質與本身缺陷 外應力:不同界面材質晶格差異 熱應力:與熱膨脹係數有關 Sputter Formula 轉移動能=4*EionM*m/(M+m)2 濺鍍產額=α*EionM*m/UM(M+m)2 R=Me*Ve/B*Q * * Wafer Ti/W 500 ? TiW/N 3000 ? Ti/W 1000 ? Au 1000 ? Plasma + + + + + + + + + + + + + + High Voltage + Ar Ar+ +positive -negative Ar gas Ti or Au Target e- Wafer Ar+ Ar+ Ar+ Plasma + + + + + + + + + + + + + + High Voltage + Ar Ar gas Grid + Ar Substrate e- PBN Ar Ar Ar Situation:All positive and negative will be bound.(no pl