硅单向开关.doc

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硅单向开关

硅单向开关 SUS 硅单向开关SUS Silicon Unidirectional Switch 亦称单向触发晶体管,上继双向触发二极管(DIAC)之后发展起来的新型触发器件。三个引出端分别是阳极A,阴极K,门极G,比DIAC增加了门极。硅单向开关实质上是由稳压管控制的N门极晶闸管构成集成电路。其结构、等效电路、符号及典型产品的外形如图1所示。典型产品有US08A等,外形同塑封晶体管。伏安特性示于图2中。 硅单向开关具有以下特点: 第一:稳压二极管并联在门极与阴极之间,稳压值为6~10V。导通过程首先将稳压管反向击穿,然后晶闸管才导通,A-K间正向压降迅速降到V(ON)。 第二:正反向转折电压不对称,有关系式V(BR)>V(BO)》V(ON)。导通压降只有零点几伏,通态电阻仅2Ω左右。 第三:开关特性好,导通时间仅0.2μs左右。利用集成电阻R可以提高开关速度。 硅单向开关主要用于晶闸管移相电路。此外,它能代替单结晶体管构成振荡器,还可组成温度越限报警器、直流电机调速器管。 下面介绍用万用表和兆欧表检查硅单向开关的方法。 1.判定门极G 由图1 a 可见,在A-G、K-G之间分别有一个PN结,根据对称性很容易识别门极。具体方法上选择万用表的R×100档,拿红表接某一脚,用黑表笔依次碰触其它两脚,如困两次测出的电阻值都是几百欧姆,并在交换表笔之后电阻值均变成无穷大,就说明红表笔接的是门极G。 2.识别阳极A和阴极K 首先假定剩下一个脚为A极,另一脚是K极,然后按图3 a 的电路测出正向导通电压V(ON),再按照(b)图电路测出反向转折电压V(BR)。最后比较两次测量结果。若V(ON)《V(BR),证明假定成立,否则必须重新假定,继续测量。 实例:被测硅单向开关为US08A。为叙述方便,从左至右为三个管脚编上序号①、②、③。将500型万用表拨于R×100档,红表笔接②,黑表笔接①时测得电阻值为820Ω,此时表针倒数偏转格数n1′ 22.5格,对应于U1 K′n1′ 0.03V/格×22.5格 0.675V。红表笔不动,再反黑表笔接③,阻值为840Ω,同时读出n2′ 22.8格,对应于U2 K′n2′ 0.684V。由于两次电阻值都很小,且U1、U2分别与两个硅PN结的正向压降值相符合,故判定②为G极。 下面假定①为K极,③为A极,按照图3分别测出V(ON) 0.8V, V(BR) 8.6V,满足V(ON)《V(BR)之条件,证明原先的假定正确。 为进一步验证A、K极,另用兆欧表和万用表10VDC档测得G-K间PN结的反向击穿电压为8.3V;而G-A间PN结的反向击穿电压为16.5V,大于10V。证明稳压管位于G-K之间,即①为阴极,③自然是阳极了。 注意事项:刚摇兆欧表测A-K间正向电压时,电压表指针会从10V左右(对应于V(BO))突然降成1V以下(对应于V(ON)),然后才达到稳定。在商量A-K间反向转折电压时,指针则始终稳定。

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