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单片开关电源芯片的生产厂家目前有好几家比较知名的power integrated,fairchild,onsenmi,st等等 ?Vf=Vmos-VinDCMax-150V ???? 这么说的话:反激电压只与Vmos电压有关系， ????当MOS管电压为650时，Vf=650-370-150=130v ?? 当取MOS管电压为800V时??Vf=800-370-150=280v ?? 麻烦雪老师指点VF与什么有关谢谢 在我的文章里，我是先根据选用的MOS耐压来确定Vf的。因为现在很多FLYBACK电源的MOS的耐压值基本确定，所以我觉得依据Vmos来确定Vf是比较合适的。 Vf的实质是输出电压反射到变压器初级的电压:Vf=Vo*Np/Ns 另外150V的安全裕量是我假设的，实际设计时，可以作修改，不必照搬。 ???2。对以公式Np/Ns=Vf/Vout中，对以我的多组输出电源来说，当反激电压确定之后，Vout取3.3V, 还是取 5.0V ， 12V, 22V,30V，取不同的电压匝比就变， ??????3。Aw：磁芯窗口面积 ???????? Ae： 磁芯载面积 ????????这两个面积各指那里，有公式算，还是磁芯形号确定 Aw和Ae，这个问题论坛里讨论过。以EE磁芯为例，Ae是磁芯中柱截面积。Aw是将一副EE磁芯装配上后，中柱边上穿绕铜线的两个一样的窗口中的一个。这两个参数是随磁芯的型号而定的。一般说明书上是直接给出Ae的，Aw可以根据磁芯的各尺寸计算出来。 Le是等效磁路长度，Ae就是磁芯截面积，C1是磁路常数，Ve是磁芯等效体积。 你对D(占空比)的取值有何见解呢 打隔是利用3842的VCC欠压保护实现的 AW是指：“cross-sectional winding area of core”应该翻译成什么？ 是不是：磁心的窗口面积 AE是指：“effective cross-sectional area ”是“磁心的有效横截面积” 开关电源产生的噪声有两类： 第一类：由于非线性产生的，为电源基频的奇次谐波。电磁兼容标准对这种谐波发射的都有限制。（GJB 151A中的 CE101） 第二类：开关工作模式产生的，频率较低的成分以差模形式出现在电源输入线上，频率较高的成分以共模形式出现。 共模噪声是由于高频成份辐射产生的： 三极管与散热片之间的寄生电容，将三极管的开关噪声耦合导地线上， 脉冲回路产生的辐射感应导所有导线上 负载电流越大，或输入电压越低，则差模干扰越强 共模干扰当输入电压最高时，最大，与负载无关。 话题：RCC設計方法詳解 在RCC設計中,一般先設定工作頻率,如為50K,然後設定工作DUTY在90V入力,最大輸出時為0.5 ????假設設計一功率為12V/1A ????1. 最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍. ????2. 出力電力Pout =??Vout × Iout = 12V×1.3A = 15.6W ????3. 入力電力 Pin = Pout/∩=22.3W(RCC效率∩一般設在65%~75% , 取70%) ????4. 入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=22.3/85*1.2=0.22( Vin(DCmin) = Vac(Inmin)×1.2) ????5. T=1/swF=1/50K=20uS?? Ton=Toff=10uS ????6. Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.22*2/0.5=0.88 ????7. 一次側電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.88=1159uH取1160uH ????8. 選擇磁芯,根据磁芯規格,選擇EI28. Ae=0.85CM^2 動作磁通=2000~2800取2000(當然,這是很保守的作法) ????9. Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.88*1160*100)/(0.85*2000)=60Ts ????10. Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=7.6 取8Ts ????11. 輔助電壓取5V(電晶體) 如功率管使用MOSFET則應設為11V ????12. Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=2.94 取3Ts ????故變壓器的構造如下: ???? Lp=1160uH ???? Np=60Ts ???? Ns=7Ts ???? Nb=3Ts ????采用三明治繞法. 以上 如有問題請回復. 當然也有一定的道理,RCC的EMI的最差時候自然是Vin最大之時.所以大多數情況下選擇最低工作頻率不是一個主要的問題,減小高低壓定格負載下的頻率差把而會是更