第一章半导体中的电子状态-20150319题库.ppt

半导体物理 第一章 半导体中的电子状态 主要内容 § 1.1 半导体的晶体结构和结合性质 § 1.2 半导体电子状态与能带 § 1.3 半导体电子运动 有效质量 § 1.4 半导体的导电机构 空穴 § 1.5 回旋共振 § 1.6 Si、Ge、GaAs的能带结构 一、晶体结构 理想晶体是由全同的结构单元在空间无限重复而构成的； 结构单元组成：单个原子（铜、铁等简单晶体）、多个原子或分子（NaCd2，1192个原子组成最小结构单元；蛋白质晶体的结构单元往往由上万个原子或分子组成）； 晶体结构用点阵来描述，在点阵的每个阵点上附有一群原子； 这样一个原子群成为基元； 基元在空间重复就形成晶体结构。 基元和晶体结构 晶胞与初基晶胞（原胞） 三维点阵的类型 闪锌矿晶体结构 纤锌矿晶体结构 § 1.2 半导体中的电子状态与能带 电子的共有化运动 ——原子组成晶体后，由于相邻原子的“相似”电子壳层发生交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上，因而，电子将可以在整个晶体相似壳层间运动，这种运动称为电子的共有化运动。 电子的共有化运动示意图 3. 能带的形成 两个原子靠近时，电子运动将重叠。这时泡利不相容原理不允许一个量子态上有两个电子存在，于是一个能级将分裂为2个能级 能带的形成 导带与价带间的能隙（Energy gap）称为禁带（fo