碳化硅论文.docVIP

深圳大学考试答题纸 (以论文、报告等形式考核专用)二○ 14 ～二○15 学年度第 5 学期 课程编号 1601810001 课程名称 半导体材料 学 号 2012160139 姓名 黄金丰 教师评语： 题目： 半导体碳化硅 电话 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。利用半导体材料制作的各种各样的半导体器件和集成电路，促进了现代信息社会的飞速发展。在半导体材料的发展历史上， 1990年代之前，作为第一代的半导体材料以硅材料为主占绝对的统治地位。目前，半导体器件和集成电路仍然主要是用硅晶体材料制造的。硅半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个信息产业的飞跃。随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料崭露头角，并显示其巨大的优越性。砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键器件，同时砷化镓高速器件也开拓了光纤及移动通信的新产业。第三代半导体材料的兴起，是以氮化镓材料P型掺杂的突破为起点，以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的，它在光显示、光存储、光照明等领域将有广阔的应用前景。 以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev）,也称为高温半导体材料。此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，从而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。 可看出碳化硅在半导体材料中的重要性，所以这篇论文主要就对半导体碳化硅做出主要研究。 碳化硅的历史 自1824?年瑞典科学家Berzelius(1779?—1848)?在人工合成金刚石的过程中观察到了SiC? 以来,人们开始了对SiC?的研究。1885?年Acheson(1856-1931)第一次生长出SiC?晶体,他发现该 晶 体 具 有 硬 度 大、熔 点 高 等 特 性 ,并希望用它代替金刚石和其他研磨材料。?当时这一材料在切割和研磨方面产生了极大的影响力。但由于晶体的尺寸较小,?并且其中存在大量的缺陷,SiC?材料还不能用于制备电子器件。SiC?在电子学中的正式应用是1907?年,英国电子工程师Round(1881?—?1966)制造出了第一支SiC?的电致发光二极管。1920?年,SiC?单晶作为探测器应用于早期的无线电接收机上。直到1959?年,Lely?发明了一种采用升华法生长高质量单晶体的新方法,由此奠定了SiC?的发展基础,也开辟了SiC?材料和器件研究的新纪元。??但是,由于当时SiC单晶生长难度比较大,因而使得SiC?的研究滞后了。1?9?7?8?年,?俄罗斯科学家Tairov ?和T s v e t k o v?发明了改良的Lely?法,获得较大晶体的SiC?生长技术,又激起了人们的兴趣。1979?年,成功地制造出了SiC?蓝色发光二极管[2]。1981?年,Matsunami?发明了Si?衬底上生长单晶SiC?的工艺技术,并在SiC?领域引发了技术的高速发展1991?年,Cree?ResearchInc?用改进的Lely法生产出6H-SiC晶片,1994?年获得4H-SiC?晶片。人们逐步增强了对SiC?的研究兴趣,且目前这一领域由于SiC?衬底的商品化而迅猛发展起来。? 碳化硅分子式为SiC，分子量40.07，其中含Si -70.045%、C-29.955%。SiC是由C和Si以共价键为主（共价键占88%）结合而成的化合物，其基本单元为Si-C四面体，硅原子位于中心，周围为碳原子。所有结构的SiC均有Si-C四面体堆积而成，所不同的只是平行堆积或者反平行堆积。如图1 图一 图二 碳化硅又俗称金刚砂，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。乍看之下，莫桑【图二】与钻石无法分别，甚至连仪器也区分不出，但仔细看会发现莫桑的七彩火光比钻石更强。在专业仪器下测试，莫桑的火光是钻石的2.5倍。在火光上，钻石是0.044，莫桑是0.104；在折射度上，钻石是2.417，莫桑是2.65，莫桑的火光及折射度都超过钻石。在摩氏硬度上，钻石是10，莫桑是9.25，远高于其它宝石。但莫桑的售价平均是同等级钻石的十分之一。 在3.20