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UMC育成計劃 計畫宗旨 系統性培育半導體產業研發人才，提供對半導體產業有興趣之學生從基礎扎根到進階學習的完整培育獎勵計畫。 育成計劃 Road Map 育成計劃申請 申請資格- ( 一 ) 成大大學部學生(大一~大四)。 ( 二 ) 電機、化學、化工、材料、物理等科系。 ( 三 ) 願意依照本計畫接受培育發展，且畢業後有意願至聯電任職者。 申請方式- e-mail報名(mail to: jacky_hsu@) 請至各系所網站最新消息公告區下載報名表與計劃詳細說明 審查- 本計劃將成立審查委員會，由參與計劃各系及聯電各推派一名代表擔任審查委員所組成。經審查委員會審查資格與相關資料後，將公佈獲選名單於本活動網頁(另以e-mail通知個人)。 預計甄選人數-50人/學年。 申請時間-本學期報名期限2008/6/1~2008/6/30 UMC半導體學程認證 目的-使參加計劃學生可由基礎專業半導體技術學程修課，養成基本專業能力。 對象-成大大學部學生(限電機、 微電子、化學、化工、材料、物理等科系) 。 方式- 由大一~大四課程中，挑選半導體相關基礎核心課程作為學程認證課程。此學程係為成大校內正式學程。 每年經由審查委員會定期檢討並修正本學程核心課程(審查委員會由參與計劃各系及聯電各推派一名代表擔任審查委員所組成) 。 學生於畢業前取得規定之認證課程學分，於學期末規定時間內提出認證申請。申請具備文件： 1)申請書(申請書請由本計劃活動網頁下載) 3)學生證正、反面影本一份 2)身分證正、反面影本一份 4)大學四年成績單正本一份 接受認證申請後，審查委員會將進行各項資料查驗，通過查驗者即由成大及聯電共同核發學程認證證書。 為鼓勵同學於每學期修習本學程之核心課程，以學年為評核基準，兩學期核心課程平均成績前10名學生可獲UMC獎學金16,000元/學年(學科總平均須達80分以上)。 辦理時程- UMC奈米世代半導體製程概論program 目的-使參加計劃學生可由進階專業技術課程，發展深度專業能力。 對象-參加育成計劃並繼續就讀成大研究所(限電機、 微電子、化學、化工、材料、物理等科系)之同學。 方式- 為確保參加育成計劃同學養成半導體研發專業知識，碩一上學期時必須選修微電子所開【UMC奈米世代半導體製程概論】課程。 此課程評分標準係依課堂表現(出席率+考試成績+報告成績)決定是否通過。 通過後授予結業證書。 課程實際內容以各學期選課公佈資訊為主。 辦理時間:【UMC奈米世代半導體製程概論】課程開課時間為每上學期。 UMC傑出科技人才計劃 目的-鼓勵同學從事半導體相關研究，以研究獎助方式提昇研究品質。 對象-依育成計劃已完成前兩階段活動之碩士班在學生。 方式- 凡參加育成計劃學生，完成【UMC半導體學程】認證、【UMC奈米世代半導體製程概論】課程通過，並經聯電用人單位甄選獲選者，即必須於碩一下學期參加【UMC傑出科技人才計畫】。 獎助金額：可獲研究補助120,000元/學期，碩士班以最多二年為上限。 參加【UMC傑出科技人才計畫】甄選時同學須繳交文件： 1)申請書 (申請書請由本計劃活動網頁下載) 4)大學四年成績單正本一份 2)學生證正、反面影本一份 5)研究計劃 3)身分證正、反面影本一份 參加【UMC傑出科技人才計畫】之權利與義務： 須配合聯電甄選面談，每學期結束前並須口頭或書面報告研究進度，作為第二學期是否繼續獎助之參考。 學生於畢業取得學位後，必須成為聯電之正式員工，若不履行服務契約或中途離職，按服務比例賠償聯電所資助之經費。 最低服務年限相等於接受聯電補助之年限(領一學期，服務半年) 。 進入公司服國防役者，服務年限以役期三年屆滿後另起算，簽約服務年限折半計算。 若因UMC無適當職缺，以致學生無法履行服務契約時，此不屬違約行為，學生不需賠償已領取之獎助金額。 辦理時間- UMC pre-offer及簽約金 參加育成計劃並依前述各階段完成培訓活動之同學，碩士班畢業後即可直接錄取UMC研發職位，並獲pre-offer及簽約金100,000元(須簽訂服務合約2年) 。 男生未役者亦另保障提供研發替代役職位(以聯電所申請研發替代役職缺數額為限) 。 辦理時間為下學期末結束前。 心動不如馬上行動 本學期育成計劃報名期限: 2008/6/1~2008/6/30 請至各系所網站最新消息公告區下載報名表與計劃詳細說明 電洽UMC承辦人:06-5054888 Ext:11663 * Page *  一月 十二月 六月 九月 二月 上學期 下學期 七月 下學期末結束前 上學期末結束前 名單資格審核