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7.4 集成功率放大器 （1）LM386通用型集成功率放大电路 LM386是目前应用较广的通用型集成功率放大电路。 特点:频响宽、功耗低、适用的电源电压范围宽。 广泛用于：收音机、对讲机、双电源转换、方波发生器和正弦波振荡器等。 电源电压为9V，负载电阻为8?时，最大输出功率为1.3W； 电源电压为16V，负载电阻为16?时，最大输出功率为1.6W。 该电路外接元件少，使用时不需加散热片。 交流负反馈系数为 因此有 当1、8断开时： 等效电阻：R=0.15+1.35=1.5k?，电路增益约为20； 1、8端之间接10?F的电容器时， 等效电阻：R=0.15k?，电路增益约为200； 如果接入1.2k?电阻器与10?F电容器的串联电路，电路增益约为50。 2. SHM1150Ⅱ集成功率放大器 变压器耦合推挽功率放大电路 7.1.5 功率器件 1. 双极型大功率晶体管（BJT） （1）功率BJT的散热问题 若不加散热片，管子的PCM只有2W，加了200×200×3mm3的散热片后，PCM可提高到10W。 最大允许功耗PCM与管子的散热条件及环境温度的定量关系。 不加散热片时，总热阻为： 加散热片后， 总热阻RT为： 显然 。 根据等效热路可得： (2) 二次击穿 (3)功率BJT的安全使用和保护 1. 安全使用 a. 应使管子工作在安全区以内，且必须留有 充分的余量。 b. 使用时要尽量避免产生过压和过流的可能性，同时不允许电源电压有较大波动。 2. 采用适当的保护措施 a. 加接适当的过流、过压保护电路。 b. 为了防止由于感性负载而使管子产生过压或过流，可在负载两端并以容性网络以抵消感性负载的不利影响 c. 在晶体管的输入端、输出端并以保护二极管或稳压管。 2. 功率MOS管 VDMOS有N沟道和P沟道两种导电类型，它们都是由许多称为元胞的单元并联构成 N沟道增强型VDMOS的符号 VDMOS管和小功率MOS管相比，其明显不同点是： 前者漏极面积大为增加，将其与外壳连接，可以收到良好的散热效果，且便于安装散热器； 除此之外，由于N-区的掺杂少，在外加漏源电压作用下，电场强度（正比于杂质形成的离子密度）减小，使击穿电压提高，从而为提高器件的输出功率创造条件。 与功率BJT相比，VDMOS具有许多优点： 1. 输入阻抗大，所需输入激励电流小,功率增益高； 2. 温度稳定性好，漏源电阻为正温度系数，当器件温度上升时，电流受到限制，不可能产生热击穿，也不可能产生二次击穿。 3. 没有BJT管的少子存贮问题，加之极间电容小，所以开关速度高（开关频率可高达100KHz～50KHz） 3. IGBT及功率模块 (1)IGBT 在VDMOS管的高掺杂N+区与金属漏极之间插入一层高掺杂的P+区，便形成IGBT结构。 (2)功率模块 功率模块：由若干BJT、MOSFET或BiFEF组合而成的功率部件。 突出特点是：大电流、低功耗，电压、电流范围宽，电压高达1200V，电流高达400A。 功率模块包括BJT达林顿模块、功率MOSFET模块和BiFET组件等； 按速度和功耗又可分为高速型和低饱和压降型。 7.5 线性直流稳压电源 7.5.1 整流电路 7.5.2 滤波电路 7.5.3 串联型线性直流稳压电路 直流电源的组成如图 7.5.1 整流电路 整流电路的主要技术指标为 ①输出直流电压平均值 ②输出电压纹波系数 ③整流二极管正向平均电流 ④最大反向峰值电压 1.桥式整流电路工作原理 2.桥式整流电路参数计算 整流电路输出电压平均值为： 流过每个二极管的平均电流为： 整流二极管最大反向电压 7.5.2 滤波电路 1、电容滤波电路 容性负载整流电路的特点有： （1）二极管的导通角 ＜ ，流过二极管的瞬时电流很大。 在纯电阻负载时（指没有电容C），变压器副边电流的有效值 ；而有电容滤波时： (3)负载直流电压随负载平均电流增加而减小。 2.电感滤波电路 3.复合滤波电路 LC滤波电路和LC ? 型滤波电路性能和应用场合与电感滤波电路相似。 7.5.3 串联型线性直流稳压电路 直流稳压电路六个基本技术指标 ①输出电压UO或输出电压可调范围UO1～UO2 ②最大输出电流Iom ③稳压系数 = 电流调整率 1、串联型线性直流稳压电路原