13三极管可研报告.pptVIP

第一章 半导体基础 1.3三极管 (BJT) .1结构及类型 NPN型 PNP型 材料 Si硅 Ge锗 e(Emitter)： b(Base）： c(Collector)： Je, Jc .2 电流分配关系 二、载流子运动 发射：发射极发射大量的自由电子 扩散与复合：在b区，大部分电子向c区扩散，小部分被复合 收集：c结反偏电压的作用下，被c区收集 三、电流分配关系 四、电流的放大作用 共射接法：有电流放大 共基接法：没有电流放大 共集接法：有电流放大 .3特性曲线 二、输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ①截止区 条件 Je反偏，Jc反偏 特点 iB≈0，iC＝ICEO≈0。C、E之间相当于断开 ②放大区 条件 e正偏（导通），Jc反偏 特点 iB≠0，iC＝βiB， iC与uCE无关，C、E之间相当于CCCS。 ③饱和区 条件 Je正偏，Jc正偏 特点 iB≠0，iC＜βiB，C、E之间相当于小电阻。 当Jc零偏时，称为临界饱和。临界饱和时， uCE＝UCES，称为饱和压，UCES≈0.2~0.3V 临界饱和集电极电流ICS ,这是集电极最大的电流。 IBS为基极临界饱和电流。 .4主要参数 直流参数 β，α，ICEO 交流参数 β，α，fT 极限参数 PCM ICM U（BR）CEO .5温度的影响 T↗，ICBO ↗， ICEO ↗ IB不变， T↗UBE ↘ T↗，β↗ ∴ T↗，IC↗ 三极管判别举例 已知晶体管工作在放大区，通过电位 →判定电极、类型、材料 本章习题 P.64 三 P.66 1.2，1.3，1.4 P.66 1.8，1.9 P.67 1.15 P.69 1.19 第一章 半导体基础 1.4 场效应管（FET） 场效应管是利用电场来控制电流，实现能量转换，三极管在工作时，多子＆少子同时参与导电，而场效应管只有多子参与导电，所以FET是单极型晶体管。 要提供控制电流的电场，只要电压，不需要电流，∴FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件。 .1 FET的分类·原理 增强型MOSFET 符号： 基本工作原理（以增强型MOS为例） 结构 .1 FET的分类 原理说明 对N沟道增强型MOS管，为了形成反型层，UGS0;并且只有当UGS大于某一个电压值时，才能形成导电沟道。这个电压值称为开启电压UGS(th) ∴当uGSUGS(th)时，d、s之间没有沟道，iD＝0，MOS管截止。 当uGSUGS(th)时，d、s之间有沟道，iD≠0，MOS管导通。 对P沟道增强型MOS管， UGS(th)是小于零的数。如果将实际的电量参考方向单独考虑，与N沟道是相似的。 .1 FET的分类 耗尽型MOS管 耗尽型MOS管也有N沟道和P沟道，与增强型的主要区别在于，利用了特殊工艺，使得MOS管不需要外加电压就已经有沟道。 对于N沟道管，当uGS=0时，iD≠0。为了使已有的沟道断开， uGS0,且uGS=UGS(off),UGS(off)称为夹断电压。 对于P沟道管， UGS(off)夹断电压是一个大于零的数，实际的电量参考方向与N沟道管成对偶关系。 .1 FET的分类·原理 结型FET（JFET） 结型管也是耗尽型的，与耗尽型MOS管类似。也存在UGS(th)或 UGS(off)。 .2 MOS管特性曲线 转移特性→iD与uGS的关系 输出特性→iD与uDS的关系 .2 MOS管特性曲线 iD与uGS的关系式→在恒流区时 增强型 耗尽型 主要参数 直流参数（P.45） 交流参数（P.45） 低频夸导gm * * Je箭头: P N 一、条件 内部条件 e区高掺杂，c区次于e区，b区参杂很低 b区很薄 外部条件 发射结正偏（导通） 集电结反偏 电位关系： 对NPN型：VC ＞ VB ＞ VE 对PNP型：VC ＜ VB ＜ VE IE =IC+IB IE =IEN+IEP= ICN+IBN+ICBO IC= ICN+ICBO IB= IBN+IEP-ICBO 令： 都是直流电流放大关系 定义： 变化量的关系 在大都数情况下： 因此，电流分配关系可以统一表示为： 直流分量 交流分量 三、电流分配关系（2） 一、输入特性曲线 输入特性曲线—— iB=f(uBE)? uCE=const 当uCE＝0时，相当于二极管的VA特性； 当0＜uCE＜1V时,JC由正偏过渡到反偏，相同的uBE条件下，IB变小。→曲线右移。 当uCE＝1V以后，JC完全反偏， IB不变，曲线基本不变。 分为三个区，分别对应晶体管的三种不同的工作状态。 例：P.68 习题1.15 .1 FET的分类·原理 .1 FET的分类·原理 转移特性 输出特性 增强型MOS管特性曲线