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三 介绍一些具体纳米磁性材料 磁性液体性能与组成 磁性微球 一维----纳米丝 二维纳米薄膜 四类具有巨磁电阻效应的多层膜结构： 2 自旋阀结构是GMR的实用化设计 3. 具有纳米氧化层的自旋阀结构已是读出磁头的定型产品 读出磁头的发展 20世纪90年代，用感应式读出磁头. 90年代出现AMR读出磁头,硬盘密度可达 1Gb/in2 或 3Gb/in2 . 1995年后, 采用GMR读出磁头,硬盘密度可达 5Gb/in2 或 10Gb/in2 ; 至2000年 ,记录密度达100 Gb/in2 ，超过了原先的极限值40 Gb/in2 . 现用高灵敏度的TMR 读出磁头，记录密度 100 Gb/in2 4. 磁性隧道结是目前的研究热点其一个重要应用前景是磁性随机存储器 磁记录密度同样决定于记录介质的进步 纵向磁记录介质及其缺陷 垂直磁记录的优越性 垂直磁记录介质结构 Architecture of MRAM Cell on Wafer Solid View 磁性半导体材料是自旋电子学是另一大类 磁性纳米复合物 由非晶态FeSiB退火，通过掺杂Cu和Nb控制晶粒尺度，成为新型的纳米晶软磁材料 纳米晶软磁的变化规律完全不同于常规软磁材料：矫顽力很小，磁导率很高。 软磁纳米晶机制在于 纳米双相复合硬磁 其机理是在硬磁粒子和软磁粒子界面产生交换弹性耦合 高频薄膜电感 选择性地介绍了几种准零维，一维，二维及纳米三维复合物。 由于技术的提高，电流诱导磁现象等新效应的发现，磁性纳米新材料，新器件的不断出现是必然的。 WWL RWL GND BL MTJ MRAM与现行各存储器的比较（F为特征尺寸） 技术 DRAM FLASH SRAM MRAM 容量密度 256 GB 256 GB 180 MB/cm2 256 GB 速度 150 MHz 150 MHz 913 MHz 500 MHz 单元尺寸 25 F2/bit 2 F2/bit ? 2 F2/bit 联接时间 10 ns 10 ns 1.1 ns 2 ns 写入时间 10 ns 10 ?s 10 ns 擦除时间 1 ns 10 ?s 10 ns 保持时间 2.4 s 10 years ? 无穷 循环使用次数 无穷 105 无穷 无穷 工作电压 V 0.5-0.6 V 5 V 0.6-0.5 V 1 V 开关电压 0.2 V 5 V 50 mV MRAM DRAM 自旋二极管 半导体的小型化极限：对称性破坏导致的能带隙破坏，不再是好的半导体；载流子数不足；特征长度大也不利于小型化。载流子运动的功耗较大。 约100年前进入真空管时代，50年前进入晶体管时代， 现在进入自旋管时代！ 由于其材料的选择剪裁，性能调节余地很大，可以在各不同的领域找到合适的材料配方。因此对纳米隐身材料同样应是研究重点，比如，纳米磁性复合颗粒薄膜研究，纳米磁性多层膜的研究。 现仅举其他磁性材料的几个例子： 是非常有实用价值的研究方向 纳米晶粒间的交换耦合作用将有效抵消局部的，无规的各向异性，平均各向异性能密度 ：因为 K1 / N ? , 此交换长度范围内含有晶粒数N Lex /D 3，故有 K1 D/Lex 3/2, 而铁磁交换长度又有关系 Lex A /〈K〉 1/2，当晶粒尺度D小于Lex时，其无规各向异性可示为 K1 4 D 6 /A 3, 即 与D是六次方的关系，相应磁导率μ随纳米粒子D的减小，也以六次方关系增加。 性能比较 理论表明，纳米级的软磁和硬磁颗粒复合将综合软磁Ms高，硬磁Hc高的优点获得磁能积比现有最好NdFeB高一倍的新 型 纳 米 硬 磁 材 料 磁能积的预期值几乎比现有值高一倍 以直径为D的软磁球被硬磁介质包围做模型 以SmCo/Fe为例，计算了反磁化形核场与粒子直径的关系,表明在粒径小于3纳米时，形核场可高达19.5T. 可以用多种模型作类似计算， 高频，微波纳米磁性材料 由于纳米粒子或薄膜尺度小于电的趋肤厚度，非常有利于在高频应用。除要求磁导率 μ? 高外，如 μ?? 也高，则可为隐身吸波材料，如 μ?? 低，损耗小，则可为高频软磁，电感材料。 * * 零维-纳米磁性液体及磁性微球 一维-磁性纳米丝及其列阵 3 二维-磁性纳米薄膜及其应用 4 纳米晶软磁性材料及产业化 5 双相纳米复合硬磁性原理 6 高频，微波纳米材料的设想 Nanosize: 1---100nm 3D 1D 2D 0D Nano Material 零维