北京化工大学模拟电子技术习题课题材.ppt

* +VCC Vi C1 + R1 R2 R3 R4 R5 T1 C2 + C3 + Vo1 T2 R6 R7 C4 + RL Vo 图1-1 1、RC耦合两级放大电路如图所示，已知两个BJT的 ?1=?2=?，rce→?。 1)指出两级放大电路各是什么组态？ 1、RC耦合两级放大电路如图所示，已知两个BJT的 ?1=?2=?，rce→?。 2)画出两级放大电路的直流通路，求静态工作点Q1[IB1、 IC1、 VCE1]、Q2[IB2、 IC2、 VCE2]。 +VCC Vi C1 + R1 R2 R3 R4 R5 T1 C2 + C3 + Vo1 T2 R6 R7 C4 + RL Vo 图1-1 1、RC耦合两级放大电路如图所示，已知两个BJT的 ?1=?2=?，rce→?。 3）画出两级放大电路的H参数小信号等效电路，求中频电压增益、输入电阻Ri和输出电阻Ro的参数表达式。 +VCC Vi C1 + R1 R2 R3 R4 R5 T1 C2 + C3 + Vo1 T2 R6 R7 C4 + RL Vo 图1-1 1、RC耦合两级放大电路如图所示，已知两个BJT的 ?1=?2=?，rce→?。 +VCC Vi C1 + R1 R2 R3 R4 R5 T1 C2 + C3 + Vo1 T2 R6 R7 C4 + RL Vo 图1-1 4）若只考虑C4的影响，试求电路下限频率fL的参数表达式，并定性画出波特图。 2、 已知：MOS管的参数开启电压VT、电导参数Kn , 电路参数Rg1、Rg2、Rd、R、VDD，求： 1)Q点 2、 已知：MOS管的参数开启电压VT、Kn , 电路参数Rg1、Rg2、Rd、R、VDD，rds很大，可忽略。求： 2)各动态指标 2、 已知：MOS管的参数VT、KN , 电路参数Rg1、Rg2、Rd、R、VDD，求： 2)各动态指标 若接负载电阻 若接源极旁路电容 3、 电路如图所示。写出vO与vI1、vI2的运算关系式； 4、放大电路如图所示 1）说明T1、T2组成什么电路？D1、D2的作用是什么？ 3）用瞬时极性法判断引入的级间反馈的类型，说明它对放大电路的输入、输出电阻的影响。 4）试估算当电路输出最大功率时的输入电压的有效值Vi。 2）设T1、T2的饱 和压降 ，求电路的最大输出功率Pom 。 5、甲乙类互补对称功率放大电路如图所示。设T1、T2管的饱和压降|VCES|=0.3V，电源电压VCC=12V，前置放大级的放大倍数vo1 /vI = -10，RL=8?。试求： 1）负载得到最大输出功率时，输入信号的有效值。 负载得到最大输出功率时， 5、甲乙类互补对称功率放大电路如图所示。设T1、T2管的饱和压降VCES=0.3V，电源电压VCC=12V，前置放大级的放大倍数vo1 /vI = -10，RL=8?。试求： 2）若功率BJT的的极限参数为ICM=2A，∣V（BR）CEO∣=30V，PCM=5W，请检验BJT能否正常工作（写出过程）。 由此判断BJT能正常工作 6、电路如下图所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，静态时｜UBEQ｜≈0.7V。试求： （1）静态时T1管和T2管的集电极电流。 IC1＝IC2＝ 0.15mA * IC4＝VEE / Rc4＝0.6mA。 （2）若静态uO＝0V，则Rc2＝？ =1V =0.14mA =7.14k? （3）电压放大倍数？ 7、用相平条件判断下面各图电路能否产生正弦波振荡。不能振荡的，请做修改使其能够振荡。并求振荡频率。（只写表达式） +VCC C 500PF R1 R2 R3 C1 0.01μF Cb 0.1μF ? ? L 7、用相平条件判断下面各图电路能否产生正弦波振荡。不能振荡的，请做修改使其能够振荡。并求振荡频率。（只写表达式） 7、用相平条件判断下面各图电路能否产生正弦波振荡。不能振荡的，请做修改使其能够振荡。并求振荡频率。（只写表达式） + - A1 + - A2 R R R1 R2 C C vo 8、试判断下图的级间交流负反馈组态（并说明由哪些元件引入的）。在满足深度负反馈条件的情况下，分别估算闭环电压增益。 8、试判断下图的级间交流负反馈组态（并说明由哪些元件引入的）。在满足深度负反馈条件的情况下，分别估算闭环电压增益。 *