Nand_Flash详述(绝对经典)案例.docxVIP

  • 11
  • 0
  • 约 10页
  • 2018-04-03 发布于湖北
  • 举报
NandFlash详述 1.?硬件特性: 【Flash的硬件实现机制】 Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内存,不论是以前的SDRAM,DDR SDRAM,还是现在的DDR2,DDR3等,都是断电后,数据就没了。 Flash的内部存储是MOSFET,里面有个悬浮门(Floating Gate),是真正存储数据的单元。 金属-氧化层-半导体-场效 HYPERLINK /view/30363.htm \t _blank 晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟 HYPERLINK /view/134362.htm \t _blank 电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档