IGBT指南解释.doc

介绍： 因为IGBT具有简单的门极驱动和较低的导通损耗，所以在大电流和大电压的应用场合中它迅速取代了双极性功率晶体管。而且它在开关速度，导通损耗和耐用上的良好的折衷使得它在高频和高效领域中能逐步替代MOSFET的位置。实际上，除了十分低电流的应用，工业生产的趋势是用IGBT取代功率MOSFET。为了帮助理解折中和帮助电路设计人员更好的选取和应用IGBT，这个应用文件提供了一个简单的IGBT技术的介绍和APT IGBT的数据表。 怎样选择IGBT 这个部分被技术之前。 棘手的问题的答案将帮助确定IGBT 适合于特别的应用。 在和之间的不同过会儿条件和图解释。前两数给一个可用的电流的。 这个式子简要的说明了可以消耗的最大热量，，等于由导通损耗产生的最大允许的热量。这里不包含开关损耗。 当然VCE（on）取决于IC（还有结温）除了相对较低的电流，VCE（on）和IC的关系是近似线性的，如图5。 图5VCE（on）和IC的近似线性关系 VCE（on）的曲线是在高温下做出的曲线，VCE（on）的弯曲部分是处于温度上升阶段。（为了计算数据表中的数值，考虑到不同器件之间的差异，APT使用了最大的VCE（on），它比典型值要高） VCE（on）和IC的关系如下： 把它代入（2）式得： 解得： 式（5）中IC是指使管芯加热到在最大结温时的连续直流电流。IC1是TC为25度时的值。IC2是TC较高时的值，它比IC1更有用，因为工作温度不可能只是25度，但是它仍然没有将开关损耗考虑在内。 图IC--TC 为了帮助设计者为某个特定的应用选择器件，APT提供了表示最大集电极电流和模块温度关系的图。曲线图是在整个外壳温度范围内解公式5得到的。图6为一个例子，从中可以看出，在较低的温度下，封装的引脚而不是管芯限制了电流在100A以内。 图6最大集电极电流——模块温度 使用IC1，IC2额定值 IC1，IC2额定值和最大集电极电流——模块温度的图在最大结点与外壳之间热阻的基础上简单的显示了器件能承受的连续的最大理论直流电流。它的目的主要是比较器件的优点。在软开关应用中，选择器件时IC2是一个较好的起始点。在硬开关或软开关应用中，器件能够安全的流过电流的大小取决于： 开关损耗 占空比 开关频率 开关速度 散热器散热能力 热阻和脉动 所以是你不能简单的假设器件在某个开关模式的功率变换器下能安全的流过相同的电流，就象IC1，IC2额定值或最大集电极电流与外壳温度曲线图所示的那样。如果你在选择适合你应用的器件或模块时需要提供帮助，则APT可以提供技术支持 ICM——脉冲集电极电流 这个值是表示器件能承受的最大集电极脉冲电流，它比连续直流电流大很多。定义ICM的目的如下： 使得IGBT工作在转移特性的线性区域。见图7。对应不同的门极-发射极电压（是IGBT能开通）就有一个最大集电极电流。如图7中，门极-发射极电压为一个给定值，当IC超过线形区域的转折点以后，那么集电极电流的增大就会导致集电极-发射极电压的显著增长，同时增加了导通损耗并使得器件容易损坏。对于典型的门极驱动电压，ICM应低于那个转折点。 为了防止器件烧毁和发生擎住效应。尽管理论上脉冲宽度很小以致于不会使管芯过热，但是如果明显超过了ICM的话会导致局部管芯过热，这样会烧毁器件或发生擎住效应。 为了防止管芯过热。在根目录“可重复值：脉冲宽度由最大结温所限制”表示ICM是以受脉冲宽度所限制的热阻为基础的。有两个原因总是对的： 在发生损坏，管芯温度大到超过最大结温之前之前ICM是有一定余地的 不管实际损坏的机制是什么，最后总是因为过热而损坏的。 为了避免通过线路的额外的电流所带来的问题，尽管可能是流过管芯过多电流所带来的首要问题。 图7 IGBT转移特性 考虑到关于ICM的热量限制，温升取决于脉冲宽度，脉冲间隔时间，热量的扩散和VCE（on），还有脉冲电流的幅值和形状。工作于ICM的限制范围内并不能保证最大结温不会被超过。参见在一个电流脉冲中通过最大瞬态热阻曲线来预测结温讨论。 ILM，RBSOA，and SSOA——Safe Operating Areas 这些定义都是相关的。ILM是在没有缓冲器硬开关应用中器件能安全开关的带箝位的负载电流。测试条件是专门的（外壳温度，门极阻抗，箝位电压，等等）。ILM是受关断瞬态所限制的，即门极正偏和在零或者负偏时开关。因此，ILM和反偏安全工作区域（RBSOA）是类似的。ILM是最大电流，RBSOA是在特定电压下的最大电流。 安全工作区域开关（SSOA）简单的说是在VCES时的RBSOA。前向偏置安全工作区域（FBSOA）包括了开通瞬态过程，它的典型值比RBSOA大很多，并且它的典型值没有在数据表中列出来。只要没有超过额