ZnO本征缺陷的第一性原理计算解释.docVIP

题 目 ZnO本征缺陷的第一性原理计算 学生姓名 石景正 学号 1110014006 所在学院 物理与电信工程学院 专业班级 物理学1101 指导教师 潘峰 _ _ _ 完成地点 陕西理工学院 2015 年 6 月 5 日 ZnO本征缺陷的第一性原理计算 石景正 (陕理工理工学院 物理与电信工程学院 物理学专业1101班，陕西 汉中 72300x) 指导教师：潘峰 [摘 要] 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对本征缺陷ZnO以及完美ZnO性质的计算。结果表明：纯净的ZnO中O原子或Zn原子的减少都会使的ZnO禁带宽度增大，OZn、VZnO和Oi 都以受主的形式存在，而ZnO和Zni都以施主的形式存在。Zn原子增加或者O原子减少都会导致Zn-Zn原子间的相互作用增强使得Zn-3d电子态不在进行能级分裂，同时O空位增多使ZnO电导率下降。应用赝势法(US-PP和PAW)对ZnO的结构参数的研究，同样可得出其性质。计算结果与其他研究者的实验结果都相吻合。同时对缺陷理论的系统理解，从而奠定ZnO本证缺陷的第一性原理计算的基础，更好的为后续研究做贡献。 [关键字] 第一原理本缺陷赝势ZnO 引 言 II-VI族半导体ZnO是继GaN材料之后又一种引起人们广泛关注的宽禁带直接带隙化合物的半导体材料，在半导体器件的制备中，尤其在短波长半导体发光器件的制造中有着特别重要的应用前景[1-2]，已经引起广大研究人员的热切关注。对于ZnO的理论研究中，基于密度泛函理论的第一性原理计算机模拟越来越被研究者们所采用。该研究方法是从物质的微观结构出发探索微观多体系统的规律。它不仅可以从现有的理论上解释客观的实验现象而且还可以为各种实验提供理论指导, 以至于至被用来替代某些实验。对材料的性能的研究或新材料制备进行计算机模拟从理论上预测材料的结构和性质，提高新型材料研制过程中的针对性，为新型材料的开发和应用提供科学依据， 并很大程度的节约研发成本。在用第一性原理计算研究具体材料时要用到赝势方法与material studio软件通过赝势方法计算了ZnO的相关结果，并给出了相应解释[3]。本文应用第一性原理的计算方法, 系统地研究ZnO本征缺陷Zn反O(ZnO)、O空位(VO)、Zn空位(VZn)、O间隙(Oi)、Zn间隙(Zni)、和O反替位Zn(OZn)的几何结构、杂质所形成能和电子结构的影响[4-5]。 1.ZnO的发展进程与前景 ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，激子结合能高、压电系数高、机电耦合系数大、带隙较宽、温度稳定性好、透射率及化学稳定性较高。熔点为1975摄氏度, 室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV, 远远大于室温离解能。此外，由于ZnO 材料来源丰富、价格低廉、无毒、易实现掺杂等优点，备受科学界瞩目。ZnO 薄膜具有很好的光电性质，在适当的制备条件和掺杂的条件下，ZnO 薄膜的低阻特性使其成为一种重要的电极材料，可利用于太阳能电池的透明导电电极[6]。高透光率和较大的禁带宽度可使之用作太阳能电池的窗口材料、低损耗光波导器材料，并在紫外激光二极管、发光二极管、紫外探测器等领域具有广泛的应用前景。目前，ZnO 薄膜的制备技术主要有：磁控溅射、脉冲激光沉积、化学气相沉积、超声喷雾热解及sol-gel 法[7-11]等。sol-gel 法具有成膜均匀性好，与衬底附着力强，易于实现原子级掺杂，化学剂量比易于控制，且工艺简单无需真空设备，成本低等特点。笔者采用sol-gel 法，通过改变参数，研究其结构及紫外–可见分光光谱，制备了平整均匀且具有高透射率的ZnO 薄膜，可以用作高效硅基太阳能电池的增透膜。 人们早就发现, ZnO对于蓝光、紫光、近紫外波段的光电子器件是一种极具潜力的宽带隙光电子半导体材料。过去, 主要是利用ZnO多晶陶瓷制备气敏传感器、压电等, 但是ZnO作为宽带隙半导体的制备、特征研究以用于电子、光电子半导体器件的研制却没有受到象GaN等那样的重视这主要是由于ZnO高结晶质量薄膜难以制备高密度缺陷的晶体致使室温下的ZnO紫外受激发射特性急遽猝灭的缘故。GaN蓝光激射的成功大大激发了其它宽带隙半导体的研究步伐。1997年, Ohtomo研究小组首次报道了蓝宝石衬底上利用激光分子束外延(L-MBE)方法制备高结晶质量的ZnO薄膜以及该薄膜的室温紫外受激发射现象从而彻底改变了ZnO