低温高压快速生长纳晶硅薄膜中氢的作用.docVIP

低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用.txt年轻的时候拍下许多照片，摆在客厅给别人看;等到老了，才明白照片事拍给自己看的。当大部分的人都在关注你飞得高不高时，只有少部分人关心你飞得累不累，这就是友情！ 本文由piksom贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 邱胜桦 等 : 低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用 1839 3 低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用 邱胜桦1 ,陈城钊1 ,刘翠青1 ,吴燕丹1 ,李 　 1 ,林璇英1 ,2 ,黄 　 2 ,余楚迎2 平 翀 ( 1. 韩山师范学院 物理与电子工程系 ,广东 潮州 521041 ;2. 汕头大学 物理系 ,广东 汕头 515063 ) 摘 　 : 　 Si H4 / H2 为气源 , 用 P ECVD 沉积技术 , 要 以 ) 高压下 ( 230 Pa ) 下制备出优质纳米晶 在低温 ( 200 ℃ 、 硅薄膜 。研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作 用 。实验表明 ,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非 常关键的作用 。随着氢稀释率由 95 %提高至 99 % ,薄 膜的晶化率由 30 %增大到 70 % , 晶粒尺寸由 3. 0nm 增大至 6. 0nm , 而沉积速率却由 0. 8nm/