3-6 放大电路的频率响应.pptVIP

* 1、增大放大电路带宽增益积的根本方法是选择高频管。 2、大多数放大电路，增益提高，带宽都将变窄；但也有的器件在参数选择的一定范围内增益增大，带宽基本不变。 由于放大电路中存在着电抗性元件和三极管的极间电容，放大电路对不同频率的信号具有不同的放大能力。 放大电路电压放大倍数可表示为频率的复函数： 上式表示放大电路的频率响应，可分解为以下两部分 幅度频率特性 3.7.1 频率响应的基本概念 相位频率特性 幅频特性是描绘输入信号幅度 固定，输出信号的幅度随输入信号 的频率变化而变化的规律。 相频特性是描绘输出信号与输入 信号之间相位差随频率变化而变化 的规律 3.7 放大电路的频率响应 注：本节PPT内容部分引自清华教材 幅频特性偏离中频值的现象称为幅度频率失真。 相频特性偏离中频值的现象称为相位频率失真。 幅频失真和相频失真不是因为晶体管的非线性特性造成的，称为线性失真。 产生频率失真的原因是: (1) 放大电路中存在电抗性元件。 例如:耦合电容、旁路电容、分布电容、变压器、 分布电感等； (2) 晶体管的?(?)是频率的函数。 在研究频率特性时，晶体管的低频小信号模型不再 适用，而要采用高频小信号模型。 幅频失真和相频失真会对所放大的波形产生影响，图中给出的曲线可以由基波和三次谐波合成，如果放大电路对基波和三次谐波的增益不同，就会产生幅频失真。 (a) 基波较大三次谐波较小 (b) 基波较小三次谐波较大 幅频失真示意图 (a) 基波和二次谐波无相移 (b) 二次谐波产生相移 相频失真示意图 放大电路对不同谐波虽然增益相同，但相移不同，会产生相频失真。相频失真对波形形状的影响往往比幅频失真更大。 1. 一阶RC低通电路 式中 w t H 1 1 = = RC 一阶RC低通电路 ，Au的模、上限截止频率和相角分别为 - + - R C . i U . O U + 3.7.2 一阶RC电路的频率响应 电压放大倍数(传递函数)为 由以上公式可做出RC低通电路的近似频率特性曲线： RC低通电路的频率特性曲线 3dB - 幅频特性的X 轴和Y 轴都是采用对数坐标，fH 称为上限截止频率。当 时，幅频特性将以十倍频20dB的斜率下降，或写成-20dB/dec。 在 处的误差最大， 有－3dB。 当 时，相频特性将滞后 45°，并具有-45?/dec的斜率。在 和 处与实际的相频特性有最大的误差值分别为+5.7和-5.7°。这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图，是分析放大电路频率响应的重要手段。 式中 一阶RC高通电路 下限截止频率、模和相角分别为: 2. 一阶RC高通电路 其电压放大倍数为： 由此可做出RC高通电路的波特图。 RC高通电路的近似频率特性曲线 20 dB / dec 3dB - 比较一阶RC高通和低通的电压放大倍数表达式 低通 低通 低通 高通 低通RC电路有上限截止频率，高通RC电路有下限截止频率。如果低通RC电路和高通RC电路有增益，上述表达式的分子应乘以电压放大倍数。 3.7.3 晶体管的高频小信号模型 1. 混合π模型：形状像Π，参数量纲各不相同 结构：由体电阻、结电阻、结电容组成。 rbb’：基区体电阻 rb’e’：发射结电阻 Cπ：发射结电容 re：发射区体电阻 rb’c’：集电结电阻 Cμ：集电结电容 rc：集电区体电阻 因多子浓度高而阻值小 因面积大而阻值小 混合π模型：忽略小电阻，考虑集电极电流的受控关系 gm为跨导，它不随信号频率的变化而变。 因在放大区iC几乎仅决定于iB而阻值大 因在放大区承受反向电压而阻值大 混合π模型：忽略大电阻的分流 Cμ连接了输入回路和输出回路，引入了反馈，信号传递有两个方向，使电路的分析复杂化。 混合π模型的单向化（即使信号单向传递） 等效变换后电流不变 晶体管简化的高频等效电路 2. 电流放大倍数的频率响应 电流放大倍数的频率特性曲线 电流放大倍数的波特图: 采用对数坐标系 采用对数坐标系，横轴为lg f，可开阔视野；纵轴为 单位为“分贝” （dB），使得 “ ×” →“ ＋” 。 lg f 注意折线化