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申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上的内容。
一、选择填空题
本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。
本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。
N型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。
P型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。
PN结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止）。除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。
PN结的伏安特性方程式：
正偏时：
反偏时：
其中：热电压? ≈26mV（室温）；温度每升高10℃，Is约增加一倍。
硅PN结：VD（on）=0.7V
锗PN结：VD（on）=0.3V
PN结的击穿特性：热击穿（二极管损坏，不可恢复），齐纳击穿（可恢复）。
PN结的电容特性：势垒电容、扩散电容。
三极管内部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结面积大。
三极管的工作状态及其外部工作条件：
放大模式：发射结正偏，集电结反偏；
饱和模式：发射结正偏，集电结正偏；
截止模式：发射结反偏，集电结反偏。
三极管工作在放大模式下：
对NPN管各极电位间要求：VeVbVc
对PNP管各极电位间要求：VeVbVc
例：测得某三极管的三个极的电压分别为U1=10V，U2=3V，U3=2.3V，请判断此三极管的类型、工作状态、并指出其B C E极。
解：电压值都为正，可判断为NPN管；假设三极管工作在放大状态，根据电位间要求：VeVbVc，可判断U1=10V为C极电压，U2-U3=0.7V，可判断U2=3V为B极电压；U3=2.3V为E极电压；且UCE=10-2.3=7.7V0.3V,由此可判断此三极管为NPN型三极管，且工作在放大状态，假设成立。
13、三极管静态工作点：IBQ、TCQ、VCEQ
14、公式：
15、三极管的三种组态：
16、混合Π型小信号电路模型：
rce三极管输出电阻，数值较大。RL rce 时，常忽略。
VA为厄尔利电压。题目中若给出VA，需计算rce，若没有给出，忽略rce。
17、相关例题见第二章PPT 34 36 37 38 41 43页。
18、结型场效应管的特性小结：
19、金属-氧化物-半导体场效应管：
20、增强型MOS管特性小结：
21、MOSFET的特性曲线：
放大器性能的主要指标有：输入电阻 Ri 、输出电阻 Ro、增益 A。
小信号放大器四种电路模型：
电压放大器：
电压增益：
开路电压增益：
Ro 越小，RL 对 Av 影响越小。
源电压增益：
Ri 越大，RS 对 Avs 影响越小。
电流放大器：
电流增益：
短路电流增益：
Ro 越大，RL 对 Ai 影响越小。
源电流增益：
Ri 越小，RS 对 Ais 影响越小。
互导放大器：互导增益：
互阻放大器：互阻增益：
理想放大器性能特点：
考试有可能会告诉你Ri R0的大小，让我们选择放大器的类型。
放大器的失真：
26、差分放大器的特点：抑制共模信号，放大差模信号。
27、差放性能指标归纳总结：
理想差放特点：输入电阻Ri无穷大，输出电阻R0无穷小，共模抑制比无穷大。
（了解）镜像电流源电路：
集成运放性能特点：
Av 很大：(104 ~ 107 或 80 ~ 140 dB)
Ri 很大：(几 kΩ~ 105 MΩ)
Ro 很小：(几十Ω)
静态输入、输出电位均为零。
三种组态电路中，共基电路频率特性最好、共发最差。
反馈放大器：将放大器输出信号的一部分或全部，通过反馈网络回送到电路输入端，并对输入信号进行调整，所形成的闭合回路即反馈放大器。
（重点）反馈放大器组成框图：
开环增益：
反馈系数：
闭环增益：
反馈深度：
环路增益：
反馈深度 F(或环路增益 T )是衡量反馈强弱的一项重要指标。其值直接影响电路性能。
判断反馈类型 — 采用短路法：
判断电压与电流反馈：假设输出端交流短路，若反馈信号消失，则为电压反馈；反之为电流反馈。
电压反馈使得输出电阻减小，电流反馈使得输出电阻增大。
判断串联与并联反馈：假设输入端交流短路，若反馈作用消失，则为并联反馈；反之为串联反馈。
串联反馈使得输入电阻增大，并联反馈使得输入电阻减小。
几个例题：
负反馈对放大器性能影响主要表现为：
降低增益
减小增益灵敏度(或提高增益稳定性)
改变电路输入、输出电阻
减小频率失真(或扩展通频带)
减小非线性失真
噪声性能不变（信噪比不变）
基本放大器引入负反馈的原则：
在电路输出端：
若要求电路 vo 稳定或 Ro 小，
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