一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计.docVIP

一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计 　　【摘要】提出了一种用于温度传感器的高电源抑制比（PSRR）、低温度系数、低功耗的CMOS带隙基准电压源。在传统CMOS带隙基准电压电路的基础上，增加了优化的电源抑制比增强电路，在带隙基准反馈环路中引入电源噪声，使上面电流镜的栅源电压保持恒定值，从而提高电源抑制比。采用自偏置共源共栅电流镜，来实现匹配更好的与绝对温度成正比（PTAT）电流镜像。采用华虹宏力0.13um FS13QPR CMOS工艺实现，使用HSPICE仿真。仿真结果表明电路输出基准电压为1.2V，电源抑制比在1K Hz时达到90dB，在-40～100℃的温度范围内温度系数是10ppm/℃，在1.8～3.6V工作电压范围内的线调整率为0.5mV/V，工作电流43uA。 　　【关键词】带隙基准电压;电源抑制比;自偏置共源共栅电流镜;温度传感器 　　引言 　　带隙基准电压源（Bandgap Voltage Reference）具有与温度、电源电压和工艺变化几乎无关的突出优点，能够提供稳定的参考电压或参考电流，被广泛应用与集成温度传感器、比较器、A/D和D/A转换器、存储器以及其他模数混合系统集成芯片中，并且高性能基准电压源直接影响着电路的性能。研究用CMOS工艺实现的可集成于片上系统（SOC）的高精度带隙基准源显得尤为重要[1]。对于高精度的温度传感器，从电源注入到带隙基准输出的噪声是各种噪声中最重要的噪声，会严重影响参考电压和温度传感器的与绝对温度成正比（PTAT）电压。因此，设计高电源抑制比（PSRR）的带隙基准源满足其要求显得十分必要[2]。 　　本文先介绍了带隙基准源的基本原理，再基于等效小信号模型，对带隙基准源的电源抑制比做了详细的分析，进而提出了一个具有高电源抑制比、低温度系数、低功耗可用于温度传感器的带隙基准电压源。 　　1.带隙基准源电源抑制比分析 　　利用与CMOS兼容工艺的纵向PNP晶体管和采用放大器负反馈实现的传统CMOS带隙基准电压如图1所示。 　　由于放大器的高增益和负反馈环路，使得放大器的两个输入端虚短，因此可以得到输出电压VBG为： 　　 （1） 　　k为波尔兹曼常数，q为电子电量，T为绝对温度。 　　通过选择合适的比例，可以使VEB1和kT/q的温度系数相抵消，从而使VBG在理论上成为温度系数为0的基准电压。 　　图1 传统CMOS带隙基准电压 　　传统CMOS带隙基准电压的小信号等效模型如图2所示，进行电源抑制比分析。 　　图2 传统CMOS带隙基准电压的小信号模型 　　为了更深刻理解电源抑制比的性能，忽略上面电流镜沟道长度调制效应对MOS晶体管M1，2的输出阻抗的影响。通过小信号模型，我们可以得到以下方程： 　　 （2） 　　 （3） 　　 （4） 　　（5） 　　（6） 　　其中，A=vg/vdiff=Gmdrout，Add=vg/vdd=Gmddrout，分别是放大器的增益和电源抑制比。gm1，2是MOS管M1，2的跨导，rQ1和rQ2分别是双极型晶体管Q1和Q2的 导通电阻。 　　将公式（3）、（4）代入（2）可以求出vg，再将vg和公式（5）、（6）代入公式（4），便可以导出带隙基准电压的电源抑制比： 　　 　　 （7） 　　从公式（7），我们注意到带隙基准电压的电源抑制比主要由放大器的增益和电源抑制比决定。增大放大器的增益可以提高带隙基准电压的电源抑制比，但也会引起稳定性的问题。放大器的增益会随操作频率的增高而降低，同样放大器的电源抑制比也会在高频率时降低。因此，为了增大带宽和高电源抑制能力，就必须要增大放大器的增益带宽积（GBW）。从公式（7）我们还注意到，如果放大器的电源抑制比是1（0dB），第一项就是无穷大，这样带隙基准电压就有非常高的电源抑制能力。也就是说，如果放大器的输出vg跟随电源电压的波动，那么MOS管M1，2的栅源电压就能保持恒定值，M1，2的漏极电流就能保持恒定值，这个带隙基准电压就能有高的电源抑制能力。这是因为沟道调制效应在基于电流镜的CMOS带隙基准电压源是普遍存在的，把M1，2设计成有大的栅长，从而使沟道长度调制效应的影响可以忽略。总之，vg能够跟随电源电压波动是我们所希望的。 　　2.高电源抑制比的带隙基准电压 　　用于温度传感器的高电源抑制比、低温度系数、低功耗的CMOS带隙基准电压源的电路实现如图3所示。这个带隙基准电压包括四个主要模块：带隙基准核心电路、PSRR增强电路、启动电路和PTAT电压产生电路。 　　2.1 带隙基准核心电路 　　带隙基准核心电路包括：Q1、Q2、R1、RPTAT、M1～M4和放大器。Q1和Q2是寄生的垂直PNP双极型晶体管，Q2的发射极面积是Q1的8倍