3-场效应管及其基本电路辩析.ppt

第3章 场效应管及其基本电路 场效应管放大电路有共源、共漏、共栅三种基本组态电路。 作业 3.3 3.5 3.12 3. 输出电阻Ro gmugs rds ui + - G S D RS RG3 RG1 RG2 RL uo + _ ＋ － u o R L R S S D i d g m u gs 3. 输出电阻Ro gmugs rds ui + - G S D RS RG3 RG1 RG2 RL uo + _ ＋ － u o R L R S S D i d g m u gs 二、 N沟道耗尽型 MOSFET(N-DMOSFET) 图 N沟道耗尽型MOS管的符号 ( c ) D G S B 3-1-2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3-1 场效应晶体管 特点：在uGS=0时，就存在导电沟道（称原始导电沟道）。 只要uDS0就有iD电流，且uGS↑→iD↑； 当uGS减小为负值时，iD↓； 当uGS=UGSoff时，iD=0，管子进入截止状态。 D G S B 图 N沟道耗尽型MOS管的转移特性曲线 ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。 式中： (b)输出特性 D-MOSFET 可变电阻区：GS结未夹断，GD结未夹断 恒流区：GS结未夹断，GD结夹断 截止区：GS结夹断 UGSoff UGSoff N沟道 P沟道 uGS iD 工作区间小结： 截止区： 可变电阻区 ： 且 恒流区： 且 对于N沟道： 可变电阻区：GS结未夹断，GD结未夹断 恒流区：GS结未夹断，GD结夹断 截止区：GS结夹断 UGSoff UGSoff N沟道 P沟道 uGS iD 截止区： 可变电阻区 ： 且 恒流区： 且 对于P沟道： 可变电阻区：GS结未夹断，GD结未夹断 恒流区：GS结未夹断，GD结夹断 截止区：GS结夹断 UGSoff UGSoff N沟道 P沟道 uGS iD 3-2 场效应管工作状态分析 及其偏置电路 3-2-1 场效应管工作状态分析（类比BJT） 3-2 场效应管工作状态分析及其偏置电路 例3.2.1 3-2-2 场效应管的偏置电路 常用的有两种偏置电路： 自偏压式 混合偏置方式 场效应管的偏置电路也要保证管子工作在恒流区。即需要选择合适的UGS和UDS以保证管子工作在恒流区。 3-2 场效应管工作状态分析及其偏置电路 R D U DD R S ( 自偏压 电阻) u i R G V ( a ) 自偏压式：UGS=0。 适合JFET和DMOSFET。 自偏压方式 3-2-2 场效应管的偏置电路 3-2 场效应管工作状态分析及其偏置电路 混合偏置方式 R D U DD R S ( 自偏压 电阻) u i R G2 ( b ) R G1 ( 分压式 偏置) 混合偏置方式： 分压式偏置。 三种场效应管都适合。 3-2-2 场效应管的偏置电路 3-2 场效应管工作状态分析及其偏置电路 练习： 现有增强型MOSFET，试给出能使其工作于恒流区的偏置电路。 对于增强型MOSFET，只能采用混合偏置方式。 U DD R S u i R D R G R D R G2 R G1 例：设uGSoff= －5V，IDSS= 1mA，试估算电路的静态工作点。 R1 R2 R3 RD RS 20V 10k U i C 2 C 1 R D R G1 R S U DD +20V R G2 + 150k 50k 10k + + R L 1M U o . R G3 1M . C 3 例：设uGSoff= －5V，IDSS= 1mA，试估算电路的静态工作点。 R1 R2 R3 RD RS 20V 估算法：由电流方程和栅源直流负载线方程联立成方程组求解，即可得工作点。 因为iG=0，所以： 例：设uGSoff= －5V，IDSS= 1mA，试估算电路的静态工作点。 R1 R2 R3 RD RS 20V 输入回路满足： 由于在放大区满足： 例：设uGSoff= －5V，IDSS= 1mA，试估算电路的静态工作点。 R1 R2 R3 RD RS 20V 联立上述两方程，得到：ID1=0.61mA，ID2=1.64mA 将ID1，ID2代入方程分别得到 UGS1= -1.1V，UGS2= -11.4V 因为UGS2UGSoff，所以ID2舍去！ 例：设uGSoff= －5V，IDSS= 1mA，试估算电路的静态工作点。 10k U i C 2 C 1 R D R G1 R S U DD +20V R G2 + 150k 50k 10k + + R L 1M U o . R G3 1M . C 3 UDSQ=7.8V 解： 因此：ID