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摘 要 随着便携式电子设备的不断普及，人们对于高密度、高速度、低功耗以及低成本的非挥发存储器的需求也在与日俱增。目前，Flash仍是非挥发存储技术的主流，占据了非挥发存储器市场约90%的份额，但随着半导体工艺技术代的不断推进，Flash遇到了越来越多的瓶颈问题，比如浮栅厚度不能随着器件尺寸的缩小而无限制地减薄。 关键词：非挥发存储器; 阻变存储器; 灵敏放大器; Abstract With the growing popularity of portable electronic devices, people’s requirement for high-density, high-speed, low-power and low-cost nonvolatile memory is also increasing. Keywords: Nonvolatile Memory; Resistive Random Access Memory 目 录 摘 要 I Abstract II 目 录 III 第1章 绪 论 1 1.1 研究意义 1 1.2 新兴非挥发存储器 1 第6章 总结和展望 3 6.1 总结 3 6.2 展望 3 参考文献 4 第1章 绪 论 1.1 研究意义 二十一世纪的社会是信息化的社会，而信息化社会的重要标志就是电子化，虚拟化的生活逐渐在社会中其主导作用，以‘0’和‘1’为表征。 1.2 新兴非挥发存储器 随着制作工艺的限制，传统flash的研究遇到很大的瓶颈，下面介绍四种新兴非挥发存储器。 1.2.1 磁阻式随机存取存储器 MRAMMagnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器的设计十分具有吸引力，作为一种非易失性存储器，它拥有低压操作的潜能，耐循环擦写能力强，同DRAM比较同样能进行高速操作，集成度高。MRAM使用一个磁性隧道结存储器单元结构，放大隧道式磁阻Tunneling Magneto Resistance，TMR）效应。这个结构利用根据磁通量方向增加电阻的原理在写操作过程中，通过磁通量的存在和缺省对电阻级别进行控制，然后，在读操作过程中，电流以磁通量阻值为依据，存储为0或1，如图1.1所示。 图1.1 隧穿结的基本结构和原理 表1.1对各种上文介绍的不挥发存储器的比较，可以得出如下结论：RRAM的存储材料相比其他不挥发存储器具有更好的CMOS工艺兼容性，因此，比较容易实现高密度、低成本生产制造。它同时具有低功耗的优点，另外在疲劳特性、速度、按比例缩小等方面都具有相当的潜力。 表1.1各种不同不挥发存储器性能比较 存储器类型 Flash FeRAM MRAM 挥发性 非挥发 非挥发 非挥发 单元尺寸() 5-10 20 20 写/擦/读时间(ns) 1us/1-100m 80/80/80 30/30/30 多值存储能力 有 无 无 功耗 低 中等 中等 与CMOS兼容性 不兼容 一般 一般 寿命 10e5 10e10 不限 相对成本 中等 高 高  （4.1） 引用的时候，如下规范：是速度可采用式（4.1）进行计算。 9． 编辑word 文档的时候要打开“显示/隐藏文档标记”，如图3.1 所示。 图 3.1 打开文档标记 10．整片文档中，英文数字使用 Time New Roman 11．整篇文档中药注意中文逗号（，，，，，，，）和英文逗号“,,,,,,,,,,,”的区别。 12．论文中不能出现“我”、“我们”、“本人”等人称代词，应使用“本文” 13 对于英文缩写的解释整个论文中只能出现一次，以后不需要重复解释。对英文缩写的解释既要有英文全称，也要有中文名称，如：MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器第6章 总结和展望 6.1 总结 自己做的东东。 6.2 展望 存在的不足和下一步要做的东西。 参考文献 [1] Yang J J., Pickett M. D., Li X. M., et al. Memristive switching mechanism for metal oxide metal nano devices [J]. Nature Nano technology, 2008, 160(3) : 429-433. [2] Wei Z., Kanzawa Y., Arita K, et al. Highly reliable TaOx ReRAM and direct evidence of redox r