激光发射与接收可研报告.docVIP

一、 脉冲激光发射单元 作为系统模拟电路的一部分，发射单元主要是产生强窄脉冲、瞬间功率大的光脉冲，采用升压驱动使激光二极管发出激光。其主要是由驱动和激光二极管组成。由激光测距方程得知，发射激光的峰值功率越高，探测器上接收到的回波峰值功率也就越高。此外，发射单元所发射的激光脉冲宽度和时刻鉴别相关，有利于提高时刻鉴别精度，进而提高测量精度。所以，激光发射系统的主要指标就包含：发射激光的峰值功率、脉冲宽度、发散角等。下面该文主要来介绍一下激光二极管和驱动电路。发射部分的系统框图如下： 发射部分的系统框图 1.1激光二极管 半导体激光二极管（LD）体积小、寿命长应用方便。因此在激光通信，光陀螺，激光打印、激光测距、激光雷达以及光存储等方面被广泛应用。半导体激光和其他类型的激光器一样，本质上没有区别，基本上都是受激发射。同时也满足三个基本条件： A：粒子束的反转 B：受激辐射在光学谐振腔内形成激光振荡 C：增益介质必须提供足够大的增益，以弥补谐振引起的光损耗及足够强的电流注入。 为阈值增益；为增益介质的内部损耗，主要是光子在增益介质内的吸收和损耗；该部分是激光器的输出损耗。 1.2 LD驱动电路 在激光测距过程中，系统的带宽、作用距离、抗干扰能力和低功耗等性能取决于半导体激光器发射激光脉冲的质量。所发射的脉冲光的前沿上升时间和测量精度密切相关，前沿上升时间越短，越有利于提高测量精度；脉冲激光的峰值功率和测量距离密切相关，峰值功率越大，测量距离越远。而激光二极管发射的光脉冲是由激光电源产生的电脉冲直接调制得到的，激光器所发射的光脉冲特性在某种定程度上依赖于脉冲驱动电源的设计，电流的幅值、脉冲宽度决定了峰值功率。 在选择半导体激光器时要根据整体的设计方案选择合适的指标。基本上根据峰值电流、脉冲宽度、脉冲频率和占空比几个指标进行选择。 1.3脉冲半导体激光的电路模型 下图1是脉冲半导体的激光驱动的基本形式，图2是其相应的等效电路。 图1 脉冲半导体激光器电源驱动模型 图2 脉冲半导体激光器的等效电路图 储能元件该文根据便于携带的设计要求选择电容，在一定程度上可以减小激光测距仪体积。HV是提供的高压，而R1为其等效电阻，R2是总的电阻，C1储能元件，L1寄生电感（由电路中放电电容、开关元件、激光器等在放电回路中产生有寄生电感）。 1.4窄脉冲发射电路 在介绍电路之前我们先来看看555定时器的结构原理图： 产生方波信号的555定时器电路图 555定时器是模拟电路和数字电路相结合的一种集成电路，使用非常方便，通过外接电阻电容就能构成多种用途的电路，常见的有施密特触发器、单稳态触发器等。在这里我们主要是通过构成多谐振荡器使其产生方波信号，比如再经过74HC86异或后，就产生设计时所需要的脉冲波形。 驱动电路原理图 上图中，Q1和Q2分别是NPN和PNP耐高压的三极管，LD是我们所选定的激光二极管，主要特点是响应速度快，峰值功率高。而方波信号则可以通过555定时器获得，或采用微处理器提供启动信号。基本原理过程：当2端口为低电平时，Q1和Q2截止，而由于5端口为高压态，经过R2、C1、D1和R4的这样一个并联电路，不断给电容C1充电；而当2端口为高电平的时候，Q1和Q2处于导通状态，这是处于饱和状态的电容C1，就会在很短时间内通过Q1和Q2和半导体激光器LD放电，在此过程中，由于时间很短，只有几纳秒，因此电路中的电流会很大，就会产生一个峰值电流很大的电流脉冲。最后就使半导体激光器发出我们所要求的高峰值功率窄脉冲。 上述过程中，Q1和Q2相当于一个快速开关，而其中的Q2主要起加速作用，D1和R4的并联电路用于抑制激光器LD的反响脉冲，起保护激光起作用。而所产生的光脉冲上升沿和脉宽则取决于Q1和Q2的响应速度，C1电容的大小和放电速度以及放电回路的等效电阻、电感等因素。 二、脉冲激光接收单元 激光测距系统的接收装置的设计主要包括：光电转换、前置放大器、主放大器，基本原理框图如下： 2.1光电探测器 光电探测器是将反射回来的光信号转变为便于测量电信号的器件，也是激光测距的接收部分的核心器件之一。半导体光电探测器的主要特点：能量分辨率高，线性响应好，脉冲上升时间短，探测效率高，且操作简单，所以得到了广泛的应用。根据其物理特性可分为光子效应和光热效应。常用的有光电池，光电二极管，光电倍增管和雪崩二极管等。光电倍增管利用光电发射效应工作的，增益可达105-107；光电二极管利用PN结的光生伏特效应制成，但是没有内部增益；雪崩二极管增益可达102-104响应时间短，是高精度微弱信号探测的首选器件，值得作为参考的器件之一。 在半导体激光测距系统中，为了能精确测量激光脉冲的飞行时