纳米TiN修饰平面微电极阵列在神经信息双模检测中的应用.docVIP

纳米TiN修饰平面微电极阵列在神经信息双模检测中的应用.doc

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纳米TiN修饰平面微电极阵列在神经信息双模检测中的应用.doc

纳米TiN修饰平面微电极阵列在神经信息双模检测中的应用   摘要采用氮化钛(TiN)修饰平面微电极阵列(pMEA),对其性能进行改进,开展了离体神经电生理和神经递质电化学的检测研究。采用磁控溅射法在实验室自制微电极阵列上修饰具有纳米结构的TiN材料,修饰后的微电极阻抗降低近一个数量级,背景噪声基线降至±6 μV,信噪比是修饰前的17倍。在SD大鼠离体脑片神经电生理信号检测中,信噪比可达10∶1,能分离提取±12 μV的微弱信号。神经递质多巴胺电化学信号检测下限达50 nmol/L(信噪比2∶1),浓度在005~100 μmol/L内与电流响应的线性相关系数为0998。实验结果表明,在微电极表面修饰纳米TiN,降低了微电极阻抗,提高了信噪比,实现了对神经信息微弱信号的检测。   关键词[HTSS]微电极阵列; 氮化钛修饰; 神经电生理; 神经电化学; 多巴胺   1引言   神经疾病已成为现代社会的一大隐患,其致病机理与脑部神经网络中神经信息的异常发放和传递有关。神经网络起沟通外部世界及协调机体内部活动的作用,是由大量神经元个体连接组成的复杂系统。神经元之间通过电学和化学两种模式的信号实现信息传递,通过对神经元胞外电生理检测可获取其电学信号; 对神经递质的释放进行电化学检测可获取其化学信号。因此,采用两种检测模式对神经电生理信号和递质化学信号的实时、准确和同步的探测,已成为研究和治疗神经疾病的基础\[1~4\]。   微电极阵列(MEA)为神经信息检测和记录的研究提供了一种高通量、高时空、分辨率和高灵敏度的检测器件。目前,微电极阵列主要分为平面MEA\[5,6\](Planar MEA, pMEA)、CMOS (Complementary metal oxide semiconductor)集成MEA\[7\]和3D立体MEA\[8,9\],研究的重点多为神经电生理信息的检测。pMEA制作工艺相对简单,批量制作成品率高,对其表面处理也更多样化和易于实现,可直接将细胞培养在其上,具有对神经细胞无损检测的优势,广泛应用于神经信息离体检测。对于神经细胞的胞外电生理检测,信号的幅度非常微弱(微伏量级),神经递质的释放也很微量(纳摩尔到微摩尔级),pMEA需克服因电极尺寸小造成的阻抗和热噪声增大等问题,而这些问题可通过对其表面进行纳米修饰得到改善\[10~13\]。相对于纳米铂黑、纳米铂铱和石墨烯等通过电化学沉积的电极修饰方法,用磁控溅射法修饰在电极表面的氮化钛(TiN)既能呈现出纳米结构, 又能与微电极结合牢固,可多次重复使用,且批量化成本较低。   本研究组自制的pMEA\[14\]集合了神经电生理和神经递质电化学检测的功能,为神经信息双模检测提供了一种有效工具,通过磁控溅射法修饰的纳米TiN材料与微电极结合牢固,重复使用率高,可批量制作。通过交流阻抗谱及背景噪声测试实验,考察TiN修饰pMEA的性能。采用修饰TiN的pMEA进行神经电生理检测和神经递质电化学检测实验,进一步考察其双模检测性能。   2实验部分   21仪器与材料   USBME16FAISystem型16通道滤波放大器(Multi Channel Systems公司),Autolab AUT85039型电化学工作站(Metrohm公司),M205C型体式显微镜(LEICA公司),S3500型扫描电子显微镜(Hitachi公司),LEAD1548型蠕动泵(兰格公司),实验室自制刺激器,MWD20型实验室超纯水器(美诚公司),BSA124S型电子天平(赛多利斯公司)。   多巴胺(Sigma公司),09%生理盐水(石家庄四药公司),Ag|AgCl浆(Dupont公司),人工脑脊液(ACSF):1250 mmol/L NaCl,25 mmol/L KCl,20 mmol/L CaCl2,13 mmol/L MgCl2,13 mmol/L NaH2PO4,250 mmol/L NaHCO3,250 mmol/L Glucose,13 mmol/L LSodium Ascorbate,06 mmol/L Sodium pyruvate,pH 74,持续充入含95% O2和5% CO2的混合气体。实验所用SD大鼠海马区脑片由北京大学神经科学研究所邢国刚课题组提供,所用药品试剂均为分析纯(国产),实验用水为高纯水。   22平面微电极阵列芯片制备、修饰及表征   实验使用玻璃基底,铂作为导电材料,氮化硅作为绝缘层的自制60通道分区型平面微电极阵列芯片。芯片包含微电极阵列、电极导线、外接电路触点、神经电生理检测参比电极、神经递质电化学检测参考电极和对电极,使用MEMS(Microelectromechanical Systems)技术的薄膜工艺和光刻

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