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试析巨磁电阻与石墨烯的制备与应用 　　摘 要 早年发现的巨磁电阻给我们的生活带来巨大变化，新型材料石墨烯的出现无疑又是对生活的莫大造化。文章从磁电阻效应比较出巨磁电阻的特征，而巨磁电阻的应用发展将又是一场存储技术的革命；文章还分析了石墨烯的特性，阐述其制备方法及其发展与应用。本文对巨磁电阻与石墨烯在以后的研究有重要意义。 　　关键词 巨磁电阻特征 应用 石墨烯特性 制备 发展应用 　　中图分类号：O44 文献标识码：A 　　三十年前，一部电影要放在几卷胶卷中分部储存；如今，一个小小的移动硬盘就能存储几十部高清电影。在不久的将来，手机就可以像手表一样弯曲。科技一直在改变我们的生活方式，其中巨磁电阻效应做了很多贡献。而未来，或许是新型材料石墨烯的舞台。 　　2007年，诺贝尔奖颁发给了发现巨磁电阻效应的阿尔伯特?费尔特（Albert Fert）和彼得?格伦博格（Peter Gr?nberg）。他们的工作直接带来了一场硬盘革命，并极大的加速了信息时代的步伐。2010年，诺贝尔奖颁发给了在石墨烯方面进行突破性实验的安德烈?海姆（AndreGeim）和康斯坦丁?诺沃肖洛夫（Konstantin Novoselov）。石墨烯――目前最被看好的具有广阔前景的新型材料正在进入人们的视线。 　　1巨磁电阻的特征 　　磁电阻效应普遍存在于磁性和非磁性材料中， 对非磁性金属磁电阻的特点是：磁电阻的相对变化率为正（MR 0）， 其值很小（一般MR 0. 1% ）各向异性， 正相对变化率磁电阻效应来源于载流子在运动中受到磁场导致的洛伦兹力， 偏离原来的运动轨迹， 使电子碰撞几率增加， 引起附加的散射效应， 从而使电阻升高。 　　而巨磁电阻的特点则恰好相反：巨磁电阻的相对变化率为负（MR0），其值很大，各向同性，巨磁电阻效应来源于磁性导体中传导电子的自旋相关散射。为了使负的磁电阻变化率定义为一个正的物理量，我们定义： 　　巨磁电阻应具备：（1）两类磁化位形。（2）两自选电流模型适用：磁纳米结构尺寸小于自旋扩散长度。（3）界面和杂质散射机理（适当的表面粗糙度）。 　　巨磁电阻效应通常用两自旋电流模型来描述。当两个铁磁层磁矩平行时，两边费米能级处自旋向下的电子数都较多，因此在两个铁磁/非磁界面受到的散射很弱，是低电阻通道，表示为2R；相反，自旋向上的电子数较少，因此在两个铁磁/非磁界面受到的散射很强，是高电阻通道，表示为2RH。根据两自旋电流模型，相应的等效总电阻为2RLRH/（RL+RH）。当两个铁磁层磁矩反平行时，左边铁磁电极费米能级处自旋向下的电子数较多，对自旋向下的电子，在穿过第一个铁磁/非磁界面时受到的散射较弱，是低电阻态，RL；但是在第二个铁磁层中，自旋向下的电子态密度较少，在铁磁/非磁界面受到的散射很强，是高电态，RH ，因此，自旋向下的通道的总电阻就是RL+RH。相似的，对自旋向上的电子通道，电子在两个界面处分别受到强散射和弱散射，总电阻为RL+RH。 　　巨磁电阻效应最先出现在磁性多层膜中。经分析，若要获得巨磁电阻，必须通过外场得到平行和反平行构型，而且非磁层的厚度要小于自旋扩散长度。最低态电阻RL与最高态电阻RH相差越大，磁电阻越大，这清晰的表述出磁电阻效应是由自旋向上和向下的电子的电阻不同引起的。 　　2巨磁电阻的应用 　　巨磁电阻最重要的应用就在计算机硬盘中。巨磁电阻效应的出现使得硬盘读取信息方式发生了颠覆性的改变，它取代了原有利用电磁感应效应的原理进行读取的方式。用巨磁电阻材料做成的读写磁头相较于前灵敏度大幅提高，相应的，被读取的介质的存储密度也越来越大，它使计算机硬盘的容量从几百兆、几千兆，一跃而提高几百倍，达到几百 G 乃至上千 G 。 　　如今，巨磁电阻最有前景的应用是磁性随机储存器（Magnetoresistance Random Access Memmory，MRAM）。MRAM利用磁性材料的双稳态特性来储存信息，用磁电阻效应来读出数据，所有的储存单元都集成到集成电路芯片中，这种储存器最大的优点是“非挥发性”以及“随机存储”。“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与Flash相同，而“随机存取”是指中央处理器读取资料时，不一定要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。 MRAM的出现，可以说是存储技术的又一场革命，其发展和应用相当迅速。 　　3石墨烯的特性 　　人们一般认为碳元素单质有两种存在形式：石墨和金刚石。它们都是属于三维的碳单质材料。近几年发现的碳纳米管和富勒烯分别属于一维材料和零维材料。关于石墨烯的理论持续了几十年，但却普遍认为这样的二维晶格体系是不可能稳定存在的，直到2004年安德烈？海姆（AndreGeim）和康斯坦丁?诺沃肖洛夫（Ko