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07_05_非平衡载流子 —— 半导体电子论 07_05 非平衡载流子 N型半导体 —— 主要载流子是电子,也有少量的空穴 电子 —— 多数载流子 —— 多子 空穴 —— 少数载流子 —— 少子 P型半导体 —— 主要载流子是空穴,也有少量的电子 空穴 —— 多数载流子 —— 多子 电子 —— 少数载流子 —— 少子 热平衡下电子和空穴的浓度 半导体中的杂质电子,或价带中的电子通过吸收热能 激发到导带中 —— 载流子的产生 电子回落到价带中和空穴发生复合 —— 载流子的复合 —— 达到平衡时,载流子的产生率和复合率相等 电子和空穴的浓度有了一定的分布 电子和空穴的浓度 —— 热平衡条件 在外界的影响作用下,电子和空穴浓度可能偏离平衡值 有 —— 非平衡载流子 —— 非平衡电子和非平 衡空穴的浓度相同 —— 如本征光吸收产生电子 — 空穴对 非平衡载流子对多子和少子的影响 多子的数目很大 —— 非平衡载流子对多子的影响不明显 —— 对少子将产生很大影响 —— 在讨论非平衡载流子的问题时 主要关心是非平衡少数载流子 1 非平衡载流子的复合和寿命 在热平衡下,载流子的浓度具有稳定值 非平衡载流子 —— 光照可以产生载流子 —— 开始光照,载流子的产生率增大 同时复合率也增大载流子的浓度偏离热平衡时的浓度 一段时间光照后,非平衡载流子的浓度具有确定的数目 —— 载流子的产生率和复合率相等 载流子浓度到达一个新的平衡 —— 载流子的浓度到达一个新的平衡 —— 撤去光照,载流子复合率大于产生率 —— 经过一段时间载流子的浓度又恢复到热平衡下的数值 —— 单位时间、单位体积复合的载流子数目 —— 光照稳定时的非平衡载流子浓度 —— 撤去光照后,非平衡载流子浓度随时间的变化关系 —— ? 为非平衡载流子的寿命 —— 载流子的复合是以固定概率发生的 非平衡载流子的复合率 非平衡载流子的寿命?的意义 1 光照使半导体的导电率明显增加 —— 光电导效应 —— ?决定着变化的光照时,光电导反应的快慢 —— 两个光信号的间隔 可以分辨相应电流信号变化,才可以分辨两个光信号 2 非平衡载流子的寿命?越大,光电导效应越明显 —— 非平衡载流子的浓度减小为平衡值的1/e 所需的时间 ? ? 越大,非平衡载流子浓度减小得越慢 —— 一个非平衡载流子只在?时间里起到增加电导的作用 ?越大,产生一个非平衡载流子对增加电导作用越大 非平衡载流子的寿命?的意义 非平衡载流子的寿命?对光电导效应有着重要的意义 通过测量光电导衰减, 可确定非平衡载流子的寿命 4 寿命?与半导体材料所含的杂质与缺陷有关 —— 深能级杂质的材料,电子先由导带落回一个空的杂 质深能级,然后由杂质深能级落回价带中空的能级 —— 非平衡载流子寿命的测量可鉴定半导体材料晶体质量 —— 深能级起着复合作用,降低了非平衡载流子的寿命 2 非平衡载流子的扩散 金属和一般的半导体中 载流子在外场作用下的定向运动 —— 形成漂移电流 半导体中载流子浓度的不均匀而形成扩散运动 —— 产生扩散电流 —— 非平衡少数载流子产生明显的扩散电流 —— 多数载流子,漂移电流是主要的 一维扩散电流的讨论 均匀光照射半导体表面 —— 光在表面很薄的一层内被吸收 光照产生非平衡少数载流子 —— 在稳定光照射下 —— 向体内运动 一边扩散一边复合 —— 半导体中建立起稳定 的非平衡载流子分布 —— 非平衡载流子的扩散是热运动的结果 —— 非平衡少数载流子边扩散 一边复合,形成稳定分布 浓度满足连续方程 —— 载流子的复合率 —— 单位时间、通过单位横截面积载流子数目 —— 扩散流密度 方程的通解 边界条件 深入样品的平均距离 —— 扩散长度 —— 扩散流密度
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