固体物理讲义第四讲精讲.pptVIP

隧道效应的应用 隧道二极管，金属场致发射 扫描隧道显微镜（STM） STM是一项技术上的重大发明，用于观察表面的微观结构（不接触、不破坏样品） 原理：利用量子力学的隧道效应 量子阱能带 量子阱和超晶格能带 超晶格电子输运的传输矩阵方法（Transfer Matrix ? 在区域j具有有限势阱，电子波矢 ? 在区域j和区域j+1,薛定谔方程的解为 边界条件 写成矩阵形式 我们希望传输矩阵具备简单形式 第四讲 回顾 半导体基本特性：本征、参杂、能隙 半导体能带：价带、导带 能带计算 有效质量测量 能带光跃迁和激子 激子理论 ? 半导体的载流子浓度 根据导带底和价带顶附近的能带关系,计算相应的态密度和载流子浓度 , , 以及本征半导体的费米能级 习题：写出n型和p型半导体相应的载流子密度和费米能级的推导和结果 载流子和费米能级 n0 p0 如果导带底的有效质量和价带顶的有效质量相等,那么本征费米能级恰好位于禁带中央 对于少数半导体,本征费米能级偏离禁带中央较明显,如锑化铟,mdp/mdn 32,而Eg 0.18ev,室温下,本征费米能级移至导带 对于大多数的半导体材料,上式中的对数值要小于1,本征费米能级通常偏离禁带中央3K0T/4,这相对与禁带宽度是非常小的.为此,我们通常认为本征费米能级位于禁带中央的位置 半导体中载流子的输运 半导体的电导率 电场作用下导带电子受到的电场力 加速度 引入 为电子与缺陷、杂质或声子的碰撞而引起的速度变化率 则 其解 电子速度 稳态解： 定义电子迁移率，即电子在单位电场作用下的定向运动速度 相应的空穴在外电场作用下的速度及迁移率为 电导率 半导体的霍尔效应 半导体的霍尔效应 霍尔效应 霍尔效应 霍尔系数 霍尔效应 应用 整数量子霍尔效应 1980年德国物理学家K.von.Klitzing发现量子霍尔效应，1985年获得诺贝尔奖 金属氧化物场效应管（MOSFET 整数量子霍尔效应 二维电子气的霍尔电阻与栅电压的关系呈现一个个量子化的平台 强磁场18T，极低温1.5K，低密度的载流子 量子霍尔电阻： ? 1. 霍尔电阻有台阶 2. 台阶处纵向电阻为零. 3. 台阶高度为 , j 为整数, 对应于占满第 j 个Landau能级,精度大约为5ppm ? 整数量子霍尔效应 理论解释：Landau能级、局域态和扩展态 电子绕磁场方向作螺旋运动 是一种强磁场下的二维约束的电子气的量子化行为 即在平行于磁场方向，能量仍是连续的，但在垂直于磁场平面，原来无磁场时的连续能量量子化，简并到分立的Landau能级 二维电子气的电子能态密度 引入磁场后，连续分布的能态收缩为等能级间隔的分立能级，但总的能态数目并没有减少，都简并到分立能级上，因此，单位面积Landau能级简并度为 电子密度为n时对Landau能级密度p的填充，填充因子为 将n代入霍尔电阻公式 霍尔电阻中的j参数的物理意义就是填充因子，即电子填充到哪个Landau能级 整数量子霍尔效应解释 如果材料有缺陷，会使Landau能级的简并度降低，Landau能级展宽成有限宽度的局域态 扩展态：原Landau能级态，可在整个平面 内自由移动的电子态 局域态：由缺陷导致的态局域在缺陷附近，好象芯电子被束缚在原子核周围 量子霍尔效应就是由这些局域态产生 当电子态密度增加或磁场降低时，局域态被逐步填充，但扩展态占据数没有改变，因此，电流不变，霍尔电阻不变，形成一个台阶，只有电子密度在电压下增加到占据更高的Landau能级时，传导电子才增加，霍尔电阻突然变化 栅电压变化 EF变化 。EF在能隙 局域态 中时，对应霍尔电阻平台， EF在Landau能级 扩展态 时，对应霍尔电阻突然增加， 如保持栅电压不变 相当于EF不变 ，只改变磁场，Landau能级及局域态整体压缩或伸展，也可以引起霍尔电阻发生类似的变化 分数量子霍尔效应 崔琦, Stomer 等发现, 当Landau能级的占据数 这里 p, m 为整数, m为奇数时, 有霍尔平台 Laughlin 提出了理论解释 常温量子霍尔效应 随着新型材料石墨烯的发现科学家在常温下观察到了量子霍尔效应 同时也观察到了石墨烯分数量子霍尔效应 反常霍尔效应 1880年，霍尔在研究磁性金属的霍尔效应时发现，即使不加外磁场也可以观测到霍尔效应，这种零磁场中的霍尔效应就是反常霍尔效应。反常霍尔效应与普通的霍尔效应在本质上完全不同，因为这里不存在外磁场对电子的洛伦兹力而产生的运动轨道偏转。反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的，因此是一类新的重要物理效应 2013年中国首次实现量子反常霍尔效应 2008年斯坦福大学教授张首晟指出了实现量子反常霍尔效应的新方向——磁性掺杂的拓扑绝缘体 2010年，中科院物理所方忠、戴希带领