计算机控制系统硬件抗干扰技术辩析.ppt

在室温附近，温度每升高1 ℃， 二极管的正向压降将减小2～2.5 mV。 即二极管的正向特性曲线将随温度的升高而左移。 温度对二极管的反向特性影响更大： 当温度每升高10 ℃， 反向饱和电流IS将增加一倍。 二极管的反向击穿电压也受温度的影响。温度过高甚至会导致PN结消失。 在室温附近，温度每升高1 ℃， 二极管的正向压降将减小2～2.5 mV。 即二极管的正向特性曲线将随温度的升高而左移。 温度对二极管的反向特性影响更大： 当温度每升高10 ℃， 反向饱和电流IS将增加一倍。 二极管的反向击穿电压也受温度的影响。温度过高甚至会导致PN结消失。 如RTX型碳膜电阻，当环境温度为40℃时，允许的使用功率为标称值的100%；环境温度增至100℃时，允许使用功率仅为标称值的20%。 温度每升高或降低10℃，其阻值大约变化1%。 电介质在交变电场作用下，所积累的电荷有两种分量：(1)有功功率。一种为所消耗发热的功率，又称同相分量；(2)无功功率，又称异相分量。异相分量与同相分量的比值即称为介质损耗。 温度每升高10度，电容器寿命下降50％。 电容的失效率正比于电压的5次方。 元器件失效的一个重要原因是由于它工作在允许的应力水平之上。因此为了提高元器件可靠性，延长其使用寿命，必须有意识地降低施加在元器件上的工作应力，以使实际使用应力低于其规定的额定应力。 金属膜电阻，温度（70度）不变时，若功率下降一半，其失效率就下降2个数量级； 云母电容器的环境温度降低一半，电压降低30％，其失效率降低3个数量级； 74HC可以直接驱动74LS系列，反之则要加上拉电阻。 加了一只电容后，二极管导通时，一方面给负载RL供电，一方面对电容C充电。在忽略二极管正向压降后，充电时，充电时间常数τ充电=2RDC，其中RD为二极管的正向导通电阻，其值非常小，充电电压uC与上升的正弦电压u2一致，uo=uC≈u2，当uC充到u2的最大值时，u2开始下降，且下降速率逐渐加快。当|u2|＜uC时，四个二极管均截止，电容C经负载RL放电，放电时间常数为τ放电=RLC，故放电较慢，直到负半周。在负半周，当|u2|＞uC时，另外二个二极管(VD2、VD4)导通，再次给电容C充电，当uC充到u2的最大值时，u2开始下降，且下降速率逐渐加快。当|u2|＜uC时，四个二极管再次截止，电容C经负载RL放电，重复上述过程。有电容滤波后，负载两端输出电压波形如图所示。 * 保证线路平衡，有利于抑制共模干扰信号。 * MAX280四阶低通滤波器芯片 * 6N135/6N136应用设计，讲解5分钟，回答提问，PPT课件要求，总评加分 1MHz以下低频电路，1-100MHz高频电路 TL7705电源监视集成电路；MAX690A/MAX692A微处理器监控器； MAX703~709/813L微处理器监控器； MAX791微处理器监控器； 1. 无源滤波器（续） 1.4 LC低通滤波器 传递函数和幅频特性？ 1. 无源滤波器（续） 1.4 LC低通滤波器 1. 无源滤波器（续） 1.5 低通滤波器的结构选择 信号源N 阻抗低 信号源N 阻抗低 负载G 阻抗低 负载G 阻抗高 还有另外2种情况如何分析？ 1. 无源滤波器（续） 1.6 低通滤波器的平衡结构与串联形式 为什么要使用对称结构？ 1. 无源滤波器（续） 1.6 低通滤波器的平衡结构与串联形式 传递函数和幅频特性？ 1. 无源滤波器（续） 1.6 低通滤波器的平衡结构与串联形式 传递函数和幅频特性？ 1. 无源滤波器（续） 1.6 低通滤波器的平衡结构与串联形式 1. 无源滤波器（续） 1.7 双T滤波器---带阻滤波器 等效电路和幅频特性？ R/2 2C Rf 2. 有源滤波器 无源滤波器的不足之处： 1、带负载能力差。 2、无放大作用。 3、特性不理想，边沿不陡。 2. 有源滤波器（续） 2.1 一阶低通有源滤波器 传递函数和幅频特性？ 2. 有源滤波器（续） 2.1 一阶低通有源滤波器 传递函数和幅频特性？ 3. 去耦电路 数字电路电平转换过程中产生冲击电流，在传输线和公用电源内阻上产生较大压降，形成严重干扰。为了抑制这一干扰，在电路中适当配置去耦电容，及去耦电路。 3. 去耦电路（续） 3.1 尖峰电流产生的原因 输出级晶体管或MOS管瞬时同时导通。 负载电容充电的影响。 统计表明：由负载电容充电引起的尖峰电流占主导位置。 3. 去耦电路（续） 3.2 去耦电容的配置 合理布线，降低杂散电容。 降低供电电源的内阻，减少尖峰电流在内阻上的电压波动。 在门电路的电源线与底线端加去耦电容。 去耦电容估算：假定尖峰电流的变化为 ，持续时间 ，要求电源端电压的跳动 ，