西电半导体物理教案chapter2new.ppt

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 西安电子科技大学 微电子学院 第二章 半导体的能带与杂质能级 2.1 半导体中电子共有化运动与能带 2.2 半导体中的电子的E(k)~k关系 有效质量和 k空间等能面 2.3 Si、Ge和GaAs的能带结构 2.4 本征半导体和杂质半导体 2.1 半导体中电子共有化运动与能带 一、孤立原子中的电子状态 1. 单电子原子 m0为电子惯性质量，q是电子电荷，h为普朗克常数， ε0是真空中介电常数。 根据上式可以得到图2.1所示的氢原子能级图。 表明孤立原子中电子 能量是不连续的，电 子能量是各个分立的 能量确定值，称为能级， 其值由主量子数n决定。 2. 多电子原子 对多电子原子，电子能量同样是不连续的。由主量子数、角量子数、磁量子数、自旋量子数描述。 二、自由电子状态（一维） 一维恒定势场中的自由电子，遵守薛定谔方程 三、半导体中的电子状态与能带 单电子近似假设晶体中电子是在严格周期性重复排列并且固定不动的原子核势场和其它电子的平均势场中运动 因此晶体中的势场必定是一个与晶格同周期的周期性函数 那么一维条件下晶体中电子的薛定谔方程为 布洛赫定理指出上式的解必有下面的形式 2）自由电子|Ψ(x)Ψ(x)* |＝A2，即自由电子在空间等几 率出 现，也就是作自由运动；而晶体中的电子 |Ψk(x)Ψk(x)* |＝ | uk(x)uk(x)* |，是与晶格同周期的周期 性函数，表明晶体中该电子出现的几率是周期性变化的。这说明电子不再局限于某一个原子，而具有从一个原子“自由”运动到其它晶胞对应点的可能性，称之为电子在晶体中的共有化运动。 3）布洛赫波函数中波矢k也是一个量子数，不同的k表示了不同的共有化运动状态。 准自由电子近似： 设想把一个电子“放到”晶体中去，由于存在晶格，电子波的传播要受到格点原子的反射。一般情况下各个反射波会有所抵消，因此对前进波不会产生重大影响。 当满足布喇格反射条件时，就会形成驻波。 一维晶体的布喇格反射条件为 k=n/2a n=±1，±2… 因此其定态一定为驻波。 由量子力学可知电子的运动可视为波包的运动，而波包的群速度就是电子运动的平均速度v。 如果波包频率为γ，则电子运动的平均速度v=dγ/dk 而 E=hγ 因此电子的共有化运动速度 布里渊区与能带： 求解一维条件下晶体中电子的薛定谔方程，可以得到图2.4所示的晶体中电子的E(k)~k关系，虚线是自由电子 E(k)~k关系。 结论: （1）当k=n/2a （n= ±1，±2…)时，能量不连续，形成一系列相间的允带和禁带。允带的k值位于下列几个称为布里渊区的区域中 第一布里渊区 －1/2ak1/2a 第二布里渊区 －1/ak-1/2a， 1/2ak1/a 第三布里渊区 －3/2ak-1/a ， 1/ak3/2a …… 第一布里渊区称为简约布里渊区，相应的波矢称为简约波矢 （2）E(k)=E(k+n/a)，即E(k)是k的周期性函数，周期为1/a。因此在考虑能带结构时只需考虑－1/2ak1/2a的第一布里渊区就可以了。 推广到二维和三维情况： 二维晶体的第一布里渊区 －1/2a(kx，ky)1/2a 三维晶体的第一布里渊区 －1/2a(kx，ky，kz)1/2a （3）禁带出现在 k=n/2a处，也就是在布里渊区的边界上 。 （4）每一个布里渊区对应一个能带。 能带中的量子态数 一个能带中有多少个能级呢？因一个布里渊区对应一个能带，只要知道一个布里渊区内有多少个允许的k值就可以了。 对一维晶格，利用循环边界条件 Ψk(L)=Ψk(0)， L=Na N是固体物理学原胞数，代入布洛赫波函数得到 K=n/Na=n/L (n=0，±1，±2…) 因此波矢k是量子化的，并且k在布里渊区内均匀分布 ，每个布里渊区有N个k值 。 推广到三维 半导体的能带 能带理论认为电子能够导电是因为在外力的作用下电子的能量状态发生了改变，当晶体中电子受到