静态工作点的稳定分压式偏置电路射极输出器动态分析1.docVIP

2.4.1 温度对静态工作点的影响　　晶体管是一个温度敏感器件，当温度变化时，其特性参数（β、ICBO、VBE）的变化比较显著，实验表明：温度每升高1，β约增大0.1％左右，VBE 减小（2～2.5）mV，温度每升高10，ICBO 约增加一倍。晶体管参数随温度的变化，必然导致放大电路静态工作点发生漂移，这种漂移称为温漂。　　以基本放大电路为例，当温度t↑升高、VBE↓、其静态电流IB↑、β↑则IC↑↑；　　可见，无论是VBE的减小，还是β、ICBO的增大，都使IC增大，从而使Q点向饱和区移动。　　静态工作点的移动，将影响放大电路的放大性能，为此，必须设法稳定静态工作点。稳定静态工作点的方法经常采用分压式偏置电路。2.4.2 分压式偏置电路 1．电路的组成　　分压式偏置电路如图2.4.1（a）所示。其中：　　Rb1和Rb2是基极偏置电阻。　　C1是耦合电容，将输入信号vi耦合到三极管的基极。　　Rc是集电极负载电阻。Re是发射极电阻，Ce是Re的旁路电容，它为交流信号提供通道，避免了Re对输入信号的衰减。Ce的电容量一般为几十微法到几百微法。　　C2是耦合电容，将集电极的信号耦合到负载电阻RL上。　　图2.4.1（b）是图2.4.1（a）电路的微变等效电路。2．稳定静态工作点原理　　设流过基极偏置电阻的电流IR IB，因此可以认为基极电位VB只取决于分压电阻、，VB与三极管参数无关，不受温度影响。　　静态工作点的稳定是由VB和Re共同作用实现，稳定过程如下：　　设温度升高→IC↑→IE↑→VBE↓→IB↓→IC↓ 其中：IC↑→IE↑是由电流方程 IE ＝ IB＋IC得出，IE↑→VBE↓是由电压方程VBE＝ VB－IERe得出，IB↓→IC↓是由 IC ＝βIB得出。　　由上述分析不难得出，Re越大稳定性越好。但事物总是具有两面性，Re太大其功率损耗也大，同时VE也会增加很多，使VCE减小导致三极管工作范围变窄。因此Re不宜取得太大。在小电流工作状态下，Re值为几百欧到几千欧；大电流工作时，Re为几欧到几十欧。 文档分享尽在/wwkdc000 文档分享尽在/wwkdc000