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* ，将其代入少子电流方程，求出 与 ，进而 §3-3 缓变基区晶体管的放大系数 基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场，使少子在基区内以漂移运动为主，故缓变基区晶体管又称为 漂移晶体管。 以NPN 管为例，结电压为 VBE 与 VBC 。 本节主要思路：令基区多子电流为零，解出基区内建电场 求出基区渡越时间 ，最后求出： 1、内建电场的形成 杂质浓度分布图： 在实际的缓变基区晶体管中， η = 4 ~ 8 。 设基区杂质浓度分布为： 式中 η 是表征基区内杂质变化程度的一个参数： 当 η = 0 时为均匀基区。 由于 ， ，故对电子起加速作用，称为加速场 。 令基区多子电流为零： 得内建电场为： 小注入时，基区中总的多子浓度即为平衡多子浓度： 将基区电场 代入电子电流方程中，可得注入基区的少子电流为： 2、基区少子分布与少子电流 根据非均匀材料方块电阻表达式，缓变基区的方块电阻为： 于是 –JnE 可表示为： 下面求基区少子分布 nB (x) : 在前面的积分中将下限由 0 改为基区中任意位置 x ，得： 由上式可解出 nB (x) 为： 对于均匀基区： 纵轴： 横轴： 3、基区渡越时间与基区输运系数 对于均匀基区， 当 较大时，上式可简化为： 当 时， 分别为： 这表明 由于内建电场的存在使少子的渡越时间大为减小。 进一步可求得基区输运系数 为： 4、注入效率与电流放大系数 已知从发射区注入基区的电子电流为： 类似地可得从基区注入发射区的空穴电流为： 上式中： 于是可得缓变基区晶体管的注入效率为： 以及： 5、 小电流时 的下降 实测表明， 与发射极电流 IE 有如下图所示的关系。 上式中： 原因：发射结正向电流很小时，发射结势垒区复合电流 JrE 的比例增大，使注入效率下降。当 JrE 不能被忽略时有： 当电流很小，即 VBE 很小时， 很大，使 很小，从而 很小。 随着电流的增大， 减小，当 但仍不能被忽略时，有： 当电流很大时， 又会开始下降，这是由于大注入效应和基区扩展效应引起的。 当电流继续增大到 可以被忽略时，则有：