《微电子学导论教学资料》专业词汇英汉对照.docVIP

《微电子学导论 半导体：semiconductor 元素半导体：elemental semiconductor 化合物半导体：compound semiconductor 晶格常数：Lattice Constant 缺陷：defect 杂质：impurity 禁带：Forbidden Energy Band 电子：Electron 空穴：Hole 有效质量：Effective Mass 导带：Conduction Band 价带：Valence Band 费米能级：Fermi Energy 状态密度：density of states 本征半导体：intrinsic/Exrinsic semiconductor 杂质：impurity 受主：accetor 施主：donor 漂移速度：drift velocity 迁移率：mobility 散射机制：scattering mechanism 电阻率：resistivity 电导率： conductivity 方块电阻：sheet resistance 散射： scattering 扩散运动：diffusive motion （载流子）产生/复合：generation/recombination 过剩载流子：excess carriers 平衡态：equilibrium state 载流子寿命：carrier lifetime PN结：PN junction 空间电荷区：space charge region 内建电场：built-in field 势垒：potential barrier 功函数：Work function 电子亲和势：Electron affinity 异质结：Heterojunction 肖特基接触：Schottky contact 欧姆接触：Ohmic contact 载流子积累：Carrier accumulation 载流子耗尽：Carrier depletion 载流子反型：Carrier inversion PN 结整二极管：pn rectifier diode 集成电路：Integrated Circuits ICs 肖特基势垒二极管：Schottky barrier Diode SBD 绝缘栅双极晶体管：Insulator Gate Bipolar Transistor（IGBT） 发光二极管：Light Emitting Diode LED 激光二极管：Laser Diode（LD） 太阳能电池：Solar Cell 光电二极管：photodiode 分立器件：Discrete Device 集成器件：Integrated Device 晶体管：Transistor 双极结型晶体管：Bipolar Junction Transistor BJT 场效应晶体管：Field Effect Transistor FET 结型场效应晶体管：junction type field effect transistor（JFET） 金属半导体场效应晶体管：Metal-semiconductor field-effect transistor（MESFET） 金属-氧化物-半导体 ：metal oxide semiconductor MOS 高电子迁移率晶体管：High electron mobility transistors（HEMT） 耗尽型（常型）：Depletion mode （Normally-on） 增强型（常关型）：Enhanced mode（Normally-off） 集成电路：Integrated circuit（IC） 双极集成电路：Bipolar IC MOS集成电路：MOS integrated circuits 外延：Epitax 液相外延：（LPE）Liquid Phase Epitaxy 分子束外延：（MBE）Molecule Beam Epitaxy 金属有机化学气相淀积：MOCVD 热扩散：Diffusion 离子注入：Ion implantation 衬底：Substrate 刻蚀：Etching 淀积：Deposition 光刻：Lithography 掺杂：Doping Electronic Design Automation 硬件描述语言：HDL Hardware Describing Language 特征尺寸： Feature Length