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模拟电路第6章集成运算放大器

第六章 集成运算放大器 集成电路:把元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路。 集成电路的特点: 1 同一片内元件参数与其标称值之间的绝对误差较大,但元件参数的比值有良好精度,温度均匀性好。 2 电阻元件由硅半导体的体电阻组成,阻值为几十~几十千欧。高阻值电阻由恒流源代替。 3 电容用结电容或 sio2介质电容,容量小,集成电路中大都采用直接耦合电路。 4 三极管多用硅管,二极管多用三极管的发射结。 5 多用复合结构和组合电路。 集成运算放大器是一种直接耦合的高增益的多级放大电路。 6-1 集成运算放大器中的恒流源电路 恒流源电路:提供恒定输出电流的电路。 特点:输出电流的精度高, 温度稳定性好, 电流不随输出端电压变化而变化。 (等效交流输出电阻大) 作用:为放大电路提供稳定的偏置电流, 作放大器的有源负载。 1 镜像恒流源电路 电路特点: T1 ,T2两管参数完全相同。 ∵ VBE1=VBE2 ∴ IB1=IB2 IC1=IC2 ∵ IR=(VCC-VBE)/R IC2=IC1=IR-2IB=IR-2IC2/? ∴ IC2 =IR·?/(?+2) 当?2时, IC2≒IR= (VCC-VBE)/R ≒VCC/R 2 微电流源 VBE1=VBE2+IE2·Re2 IC2≒IE2=(VBE1-VBE2)/Re2=⊿VBE/Re2 ∵ ⊿VBE很小, ∴用不大的Re2可得到微小的电流。 ∵ IR ≈ IE1=IES1eVBE1/VT IC2≈IE2=IES2eVBE2/VT ∴ ⊿VBE= VBE1-VBE2 =VT[ln(IR/IES1)-ln(IC2/IES2)] =VT[ln(IR/IC2)] ∴IC2=(VT/Re2)ln (IR/IC2) 3 比例恒流源电路 VBE1+IE1RE1=VBE2+IE2RE2 VBE1- VBE2 =IE2RE2 -IE1RE1 VBE1= VTln(IE1/IES) VBE2= VTln(IE2/IES) VBE1-VBE2= VTln(IE1/IE2) VTln(IE1/IE2)= IE2RE2 -IE1RE1 0.1IE1/IE210 |VTln(IE1/IE2)|0.06≈0 IE1RE1≒IE2RE2 ∴IC2/IR≈RE1/RE2 多路恒流源电路 IC1/IR=RE/RE1 IC2/IR=RE/RE2 …………………… 4 电流源作有源负载 6-2 差分式放大器 理想差模输入:vi1=-vi2 理想共模输入:vi1=vi2 一般情况: vi1=(vi1-vi2)/2+ (vi1+vi2)/2 vi2=-( vi1-vi2)/2+ (vi1+vi2)/2 vi1= vid/2+vic vi2 =-vid/2+vic 实际差分放大器,输出不仅与差模信号有关,而且也与共模信号有关。 差模电压增益:AVD=vod/vid 共模电压增益:AVC=voc/vic 理想差分放大器:AVD很大, AVC=0 6-2-1 基本差分式放大电路 IC1=IC2=I0/2 VC1=VC2=VCC-ICRC VCE1=VCE2=VCC-ICRC+VBE vo=VC1-VC2=0 共模输入:vi1=vi2=viC 零点漂移:放大器无输入时,(输入端短路)输出电压仍然有缓慢的变化。(漂移) 在直接耦合放大器中,前级漂移将被逐级放大。 产生漂移的主要原因:温度变化导致工作点变化。 温漂指标:温度每升高1度,输出端的漂移电压折算到输入端的等效输入电压。 在差分式电路中,温度的变化、电源的波动会使两管的集电极电流、集电极电压产生相同方向的变化,相当于在差分管的两输入端加入共模信号。 由于差分放大器有很强的抑制共模信号的能力,零点漂移很小,特别适合作多级直接耦合放大器的输入级。 3 主要技术指标的计算 B 双端输入、单端输出 C 单端输入 vi1= vi/2+ vi/2 vi2 = -vi/2+ vi/2 vid= vi1- vi2= vi vic=vi/2 (2) 共模电压增益 (3) 共模抑制比KCMR 表征差分放大电路放大差模信号,抑制共模信号的能力。 KCMR=|AVD/AVC| 或 KCMR (dB)= 20lg |AVD/AVC| 双端输出: KCMR=∞ 单端输出: KCMR(单)= (?RC/2rbe)/ (

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