模电第四章3(第五版)康华光.pptVIP

* * * * * * 第三章 三极管及放大电路基础 1. BJT的H参数及小信号模型 把BJT看作二端口有源网络通过vi 、 ii 、 vo 、io 来研究网络的特性。不同的网络参数： 4.3.2 小信号模型分析法（微变等效电路分析法） 晶体管的特性曲线并非直线，即是非线性的； 小信号输入时，可以把小范围的曲线看成直线，即线性化；分析思路：把非线性器件组成的电路当作线性电路来处理。 Z参数 （开路阻抗） Y参数 （短路导纳） H参数 （混合参数） 在低频条件下，H参数物理意义明确且为一实数，通常用来分析三极管电路。 共射极电路 V1=H11I1+H12V2 I2=H21I1+H22V2 （1）．H参数的引出 BJT的特性曲线——用图形描述晶体管内部电压、电流的关系； BJT的H参数——用数学表达式表示内部电压、电流微变量的关系。 四个参数的物理意义（共射极） 下标的含义：i—输入； r—反向传输； f—正向传输； o—输出； 第二下标e表示共射接法。 BJT双口网络 vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce 输入电阻 反向电压传输比 电流传输比（电流放大系数） 输出电导 （2）.H参数小信号模型（微变等效电路） 晶体管本是个非线性器件，小信号时可以看成线性器件，以便计算简化。电路计算采用近似计算方法。 输入回路，hie看作电阻；第二项是输出对输入的影响，以受控源表示。 输出回路， hfe为正向传输比，hoe看成导纳的作用 线性化后的线性模型共有四个H参数，分析时可以用来代替BJT。 rbe:103? 10-3 -10-5 ?：102 rce：105 ? vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce BJT双口网络 (3)晶体管小信号模型的简化： 输入端口，hrevce比vbe小得多；输出端口，BJT的输出电阻1/hoe很大，两者均可忽略。所以，等效电路可进一步简化。 通常使用简化电路模型 注： 1）受控源（虚拟的）的特点。 2）图中应标明βib 、ib的方向；ib方向相反时，βib的方向也相反。 3）PNP管，其H参数等效电路与NPN管相同。 (4)．H参数的确定 应用H参数等效电路来分析放大电路时，必须了解晶体管在Q点的H参数，必要时进行测定。也可以用图示仪测定 ? 和rbe 。 通常用近似计算公式： 注： VT ：室温（300K）时为26mV 基区体电阻 发射区体电阻，数值较小，可以忽略 发射结电阻，其数值为 （300K） 4.3.2 小信号模型分析法 2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 （1）利用直流通路求Q点 共射极放大电路 一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.2V，? 已知。 2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 （2）画小信号等效电路 H参数小信号等效电路 交流通路 H参数小信号等效电路 2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 （3）求放大电路动态指标 根据 则电压增益为 （可作为公式） 电压增益 2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 （3）求放大电路动态指标 输入电阻 输出电阻 令 Ro = Rc 所以 3. 小信号模型分析法的适用范围 放大电路的输入信号幅度较小，BJT工作在其V－T特性曲线的线性范围（即放大区）内。H参数的值是在静态工作点上求得的。所以，放大电路的动态性能与静态工作点参数值的大小及稳定性密切相关。 优点： 分析放大电路的动态性能指标(Av 、Ri和Ro等)非常方便，且适用于频率较高时的分析。 4.3.2 小信号模型分析法 缺点： 在BJT与放大电路的小信号等效电路中，电压、电流等电量及BJT的H参数均是针对变化量(交流量)而言的，不能用来分析计算静态工作点。 共射极放大电路 放大电路如图所示。已知BJT的 ?=40， Rb=300k? ， Rc=2k?， VCC= +12V，求： （1）放大电路的Q点。 （2）Av、Ri、Ro 解： 静态工作点为Q（40?A，1.6mA，5.6V），BJT工作在放大区。 例题 VCEQ=VCC－ICQRc=12-4ICQ=5.6V （1）求静态工作点 共射极放大电路 放大电路如图所示。已知BJT的 ?=40， Rb=300k? ， Rc=2k?， VCC= +12V，求： （1）放大电路的Q点。 （2）Av、Ri、Ro 解： 画交流等效电路 例题 （2）求Av 交流等效电路 微