电工学D卷.docVIP

电工学D卷 本文由amiferous贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 注意： 请将以 下信息 填充完 整，否 则后果 自负！ 装订线 内禁止 答题… 09-10 级第 2 学期 09- 机械制造 专业 电工学 题号 得分 题 一、填空题（共 22 分，每空 1 分） 填空题（ ．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 答 V；锗二极管的门槛电压约为 为 止 V。 一 二 三 四 学科期末试卷( D 卷) 五 六 总分 学 院 名 称 内 哈 尔 滨 应 用 职 业 技 术 学 院 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约 2、 二极管的最主要特性是 耗尽层 。 。 ＰＮ结外加正向电压时， 扩散电流 漂移电流， 禁 3、P 型半导体的多子为 为 。 、N 型半导体的多子为 、本征半导体的载流子 4、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 半导体和 半导体两大类。 5.某放大电路中的三极管，测得管脚电压 Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 考 场 线 管（硅、锗） ，